[发明专利]单晶硅片的制备系统

权利要求书

1.一种单晶硅片的制备系统，其特征在于：包括单晶硅棒生长装置（32）、单晶硅棒切割装置（33）、硅片裁切装置（34）、硅片清洗装置（35）以及硅片烘干装置（36），所述单晶硅棒生长装置（32）用于生长单晶硅棒，所述生长装置与所述切割装置之间设置有第一传送装置（37），所述第一传送装置（37）用于将所述生长装置生长的单晶硅棒传输给所述切割装置，所述切割装置用于对所述单晶硅棒进行切割，制备成厚度符合要求的单晶硅片，所述切割装置与所述裁切装置之间设置有第二传送装置（38），所述第二传送装置（38）用于将所述切割装置切割后的单晶硅片传送至所述硅片裁切装置进行裁切，所述裁切装置用于对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状，所述裁切装置与所述清洗装置之间设置有第三传送装置（39），所述第三传送装置（39）用于将所述裁切装置裁切后的单晶硅片传送至所述清洗装置，所述清洗装置用于对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质，所述清洗装置与所述烘干装置之间设置有第四传送装置（40），所述第四传送装置用于将清洗后的硅片传送给所述烘干装置进行烘干处理，所述烘干装置上设置有硅片取出装置，所述硅片取出装置用于将烘干后的成品硅片取出。

2.如权利要求1所述的单晶硅片的制备系统，其特征在于：所述生长装置包括炉体（1），所述炉体（1）内的右下侧设置有第一熔体预加热装置，所述炉体（1）内的左下侧设置有第二熔体预加热装置，所述熔体预加热装置用于对其内的循环熔体（11）进行预加热，所述第一熔体预加热装置与第二熔体预加热装置之间设置有循环泵（15），所述循环泵（15）的进液口通过第二循环熔体回流管（16）与所述第二熔体预加热装置相连通，所述循环泵（15）的出液口通过第一循环熔体回流管（12）与所述第一熔体预加热装置相连通，所述炉体（1）的上侧设置有循环熔体导热器（3），所述循环熔体导热器（3）内设置有晶体熔炼坩埚（4），所述晶体熔炼坩埚（4）内设置有籽晶（21）和晶体生长原料，所述循环熔体导热器（3）内设置有熔体螺旋导热管（3-1），熔体螺旋导热管（3-1）将所述晶体熔炼坩埚（4）包裹，熔体螺旋导热管（3-1）的上端通过加热熔体注入管（3-2）与所述第一熔体预加热装置相连通，所述熔体螺旋导热管（3-1）的下端通过第三循环熔体回流管（3-3）与所述第二熔体预加热装置相连通，所述循环熔体导热器（3）的外侧设置有保温套（5）和上保温盖（2），所述第一熔体预加热装置内设置有第一热电偶（7），所述第一热电偶（7）用于测量所述第一熔体预加热装置内的循环熔体温度，所述第二熔体预加热装置内设置有第二热电偶（19），所述第二热电偶（19）用于测量所述第二熔体预加热装置内的循环熔体温度，沿所述保温套（4）的上下方向等间隔的设置有第三热电偶（22）、第四热电偶（23）和第五热电偶（26），所述第三热电偶（22）、第四热电偶（23）和第五热电偶（26）用于测量循环熔体导热器（3）不同位置的温度，通过控制系统控制第一熔体预加热装置和第二熔体预加热装置中循环熔体（11）的温度和/或循环泵流量，使第三热电偶（22）、第四热电偶（23）、第五热电偶（26）达到设计温度T3、T4、T5并稳定，并利用加热后的循环熔体对晶体熔炼坩埚（4）进行加热，使晶体熔炼坩埚（4）内的晶体原料熔化并进行晶体生长。

3.如权利要求2所述的单晶硅片的制备系统，其特征在于：所述生长装置还包括位于所述炉体（1）底部的冷却装置，所述冷却装置包括循环熔体冷却坩埚（13），所述循环冷却坩埚（13）内设置有循环熔体冷却液（14）和水冷铜管，所述冷却装置用于对所述第一熔体预加热装置和第二熔体预加热装置进行冷却处理。

4.如权利要求2所述的单晶硅片的制备系统，其特征在于：所述循环熔体导热器（3）通过坩埚支撑（20）与所述炉体（1）的底部连接。

5.如权利要求2所述的单晶硅片的制备系统，其特征在于：所述生长装置还包括第三循环熔体预热加热器（28），所述第三循环熔体预热加热器（28）位于所述加热熔体注入管（3-2）的外侧且靠近所述循环熔体导热器（3）的上端。