[发明专利]一种提升NandFlash总线时序裕量的方法及装置

说明书

本发明公开了一种提升NandFlash总线时序裕量的方法、装置、设备及计算机可读存储介质，该方法包括：获取NandFlash总线上指定点当前时刻的当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值，设定充电时间值为设定的指定点的电压值由充电前电压值变化至充电后电压值所需的时间；基于当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值计算NandFlash总线的总线等效电容值；基于总线等效电容值及NandFlash总线的负载电容值计算需增加的特定电容的电容值，并将该特定电容与负载电容值对应的负载电容串联。本申请能够提升总线的时序裕量，提高运行速率。

技术领域

本发明涉及NandFlash总线技术领域，更具体地说，涉及一种提升NandFlash总线时序裕量的方法、装置、设备及计算机可读存储介质。

背景技术

NandFlash总线是一种内部采用非线性宏单元模式的并行存储总线；随着大数据时代的来临，对“提升单位产品单位体积的存储容量”和“降低整个系统的延时”的需求越来越强烈，“大容量”意味着NandFlash总线上单通道上挂载的die数量要逐渐增加，负载电容越来越大；“低延时”意味着NandFlash总线的运行速率要求也会越来越高。但是，负载电容越大，所运行的信号边沿退化越严重，满足系统要求的时序裕量窗口越小(NandFlash总线时序裕量越小)，可实现的运行速率越低——即“大容量”和“高速率”在NandFlash总线上是一个矛盾的存在。NandFlash总线的运行速率已然成为制约整个存储性能提升的瓶颈所在。

综上所述，现有技术中存在由于负载电容较大导致NandFlash总线的时序裕量较小、运行速率较低的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种提升NandFlash总线时序裕量的方法、装置、设备及计算机可读存储介质，能够解决现有技术中存在的由于负载电容较大导致NandFlash总线的时序裕量较小、运行速率较低的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种提升NandFlash总线时序裕量的方法，包括：

获取NandFlash总线上指定点当前时刻的当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值，所述设定充电时间值为设定的所述指定点的电压值由充电前电压值变化至充电后电压值所需的时间；

基于所述当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值计算所述NandFlash总线的总线等效电容值；

基于所述总线等效电容值及所述NandFlash总线的负载电容值计算需增加的特定电容的电容值，并将该特定电容与所述负载电容值对应的负载电容串联。

优选的，计算所述NandFlash总线的总线等效电容值，包括：

按照下列公式计算所述NandFlash总线的总线等效电容值：

Vt＝V0+(Vu-V0)*[1-exp(-t/RC)]，

其中，V0为充电前电压值，Vu为充电后电压值，Vt为当前电压值，t为设定充电时间值，R为总线等效电阻值，C为总线等效电容值；

计算需增加的特定电容的电容值，包括：

按照下列公式计算需增加的特定电容的电容值：

C＝(C1*C2)/(C1+C2)，

其中，C1为负载电容值，C2为特定电容的电容值。

优选的，将特定电容与所述负载电容值对应的负载电容串联，包括：