[发明专利]一种提升NandFlash总线时序裕量的方法及装置

权利要求书

1.一种提升NandFlash总线时序裕量的方法，其特征在于，包括：

获取NandFlash总线上指定点当前时刻的当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值，所述设定充电时间值为设定的所述指定点的电压值由充电前电压值变化至充电后电压值所需的时间；

基于所述当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值计算所述NandFlash总线的总线等效电容值；

基于所述总线等效电容值及所述NandFlash总线的负载电容值计算需增加的特定电容的电容值，并将该特定电容与所述负载电容值对应的负载电容串联。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，计算所述NandFlash总线的总线等效电容值，包括：

按照下列公式计算所述NandFlash总线的总线等效电容值：

Vt＝V0+(Vu-V0)*[1-exp(-t/RC)]，

其中，V0为充电前电压值，Vu为充电后电压值，Vt为当前电压值，t为设定充电时间值，R为总线等效电阻值，C为总线等效电容值；

计算需增加的特定电容的电容值，包括：

按照下列公式计算需增加的特定电容的电容值：

C＝(C1*C2)/(C1+C2)，

其中，C1为负载电容值，C2为特定电容的电容值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将特定电容与所述负载电容值对应的负载电容串联，包括：

如果所述指定点位于所述NandFlash总线的干路上，则将所述特定电容埋入PCB基板中，以与所述NandFlash总线的全部负载电容组成的负载电容组串联。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将特定电容与所述负载电容值对应的负载电容串联，包括：

如果所述指定点位于所述NandFlash总线的每个负载支路上，则对于任一指定点，将该任一指定点对应计算的特定电容集成到该任一指定点位于的负载支路上的负载电容对应的颗粒封装中，以与该颗粒封装中的负载电容串联。

5.一种提升NandFlash总线时序裕量的装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于：获取NandFlash总线上指定点当前时刻的当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值，所述设定充电时间值为设定的所述指定点的电压值由充电前电压值变化至充电后电压值所需的时间；

第一计算模块，用于：基于所述当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值计算所述NandFlash总线的总线等效电容值；

第二计算模块，用于：基于所述总线等效电容值及所述NandFlash总线的负载电容值计算需增加的特定电容的电容值，并将该特定电容与所述负载电容值对应的负载电容串联。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，第一计算模块包括：

第一计算单元，用于：按照下列公式计算所述NandFlash总线的总线等效电容值：

Vt＝V0+(Vu-V0)*[1-exp(-t/RC)]，

其中，V0为充电前电压值，Vu为充电后电压值，Vt为当前电压值，t为设定充电时间值，R为总线等效电阻值，C为总线等效电容值；

第二计算模块包括：

第二计算单元，用于：按照下列公式计算需增加的特定电容的电容值：

C＝(C1*C2)/(C1+C2)，

其中，C1为负载电容值，C2为特定电容的电容值。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第二计算模块包括：

第一操作单元，用于：如果所述指定点位于所述NandFlash总线的干路上，则将所述特定电容埋入PCB基板中，以与所述NandFlash总线的全部负载电容组成的负载电容组串联。