[发明专利]导电性基板、电子装置以及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201810838133.4 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN109309012B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 大德高志;谷口晋;关映子;佐藤淳;堀川雄平;折笠诚;阿部寿之 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 电子 装置 以及 显示装置 制造 方法 | ||
本发明涉及导电性基板、电子装置以及显示装置的制造方法,导电性基板的制造方法是制造具有基材以及被设置于基材的一个主面侧的导电图形的导电性基板的方法。该方法具备由压印法来形成具有基底层露出的底面和包含沟槽形成层表面的侧面的沟槽的工序、从露出于沟槽底面的基底层使金属镀敷生长并由此而形成导电图形层的工序。
技术领域
本发明涉及导电性基板、电子装置以及显示装置的制造方法。
背景技术
在触摸面板或者显示器的表面上会有安装搭载有具有透明性和导电性的导电性基板的透明天线的情况。近来,伴随于触摸面板以及显示器要大型化和多样化而变得对于导电性基板要求高透明性和高导电性并且还要求可挠性。现有的导电性基板例如在透明基材上具有由含有ITO、金属箔、或者导电性纳米线(nanowire)的树脂形成的形成有微细图形的导电图形层。
但是,ITO或者导电性纳米线都是一种昂贵的材料。另外,作为将微细的导电图形层形成于基材上的方法一般是蚀刻(腐蚀)法,由蚀刻来完成的方法其必要的工序分别为曝光工序、显影工序、蚀刻工序、以及剥离工序等,即工序繁多。根据如此理由,对于以低成本来制作导电性基板来说是有限度的。
作为以低成本来制作导电性基板的方法,在日本专利申请公开2016-164694号公报中所公开的方法是使沟槽(trench)形成于树脂制的透明基材上,由蒸镀法或者溅射法来使铜等导电性材料填充到透明基材整个面上,用蚀刻法除去沟槽内部以外的导电性材料从而形成导电层。另外,在日本专利国际公开第2014/153895号中所公开的方法是使沟槽形成于树脂制的透明基材上,并使导电性材料填充于沟槽内部。
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而,具有填充沟槽的导电图形层的现有导电性基板在被重复弯曲的时候会有所谓发生导电层的剥离并且导电性降低的问题。
本发明的目的在于提供一种具有填充沟槽的导电图形层并且由弯曲引起的导电图形层剥离以及导电性降低被抑制的导电性基板的制造为可能的方法、以及制造使用了该导电性基板的电子装置及显示装置的方法。
解决技术问题的手段
本发明的一个侧面是提供制造具有基材以及被设置于基材的一个主面侧的导电图形层的导电性基板的方法。
制造第1实施方式所涉及的导电性基板的方法包括由包含将具有凸部的模具压入到在被形成于基材上的基底层上形成的沟槽形成层的处理的压印法(imprinting method)来形成具有基底层露出的底面和包含沟槽形成层表面的侧面的沟槽的工序、从露出于沟槽底面的基底层使金属镀敷生长并由此形成包含金属镀敷并且填充沟槽的导电图形层的工序。
制造第2实施方式所涉及的导电性基板的方法包括由包含将具有凸部的模具压入到在被形成于基材上的基底层上形成的沟槽形成层的处理的压印法来形成具有基底层露出的底面和包含沟槽形成层表面的侧面的沟槽的工序、使催化剂吸附于露出于沟槽底面的基底层的工序、从催化剂所吸附的基底层使金属镀敷生长并由此形成包含金属镀敷并填充沟槽的导电图形层的工序。
对于第1形态以及第2形态来说,优选以在导电图形层的侧面当中的至少一部分与所述沟槽的侧面之间形成间隙的形式使金属镀敷生长。
第1形态以及第2形态所涉及的方法也可以进一步具备使包含导电图形层的与沟槽的底面相反侧的面的表面中的至少一部分黑化的工序。
第1形态以及第2形态所涉及的方法也可以进一步具备形成覆盖沟槽形成层以及导电图形层的与基材相反侧的面中的至少一部分的保护膜的工序。
导电图形层也可以具有网目状图形。
本发明的另一个侧面是提供一种制造具备具有基材以及被设置于基材的一个主面侧的导电图形层的导电性基板、电子部件的电子装置的方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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