[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，利用导电层焦耳热诱导非晶硅转化为多晶硅，不需要ELA设备，可降低成本、简化工艺。该制备方法包括：提供衬底基板；衬底基板的表面包括至少一个预设区域；在表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层，在表面上的正投影均覆盖预设区域；对非晶硅层进行构图工艺处理，形成位于预设区域内的多个非晶硅图案；在导电层上施加电压，通过使导电层发热诱导多个非晶硅图案结晶转化为多个多晶硅图案；或者，在导电层上施加电压，通过使导电层发热诱导非晶硅层位于预设区域内的部分转化为多晶硅层；对多晶硅层进行构图工艺处理，形成位于预设区域内的多个多晶硅图案。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

LTPS(Low Temperature Poly Silicon，低温多晶硅)是指在低于传统固相方法的晶化的温度(例如500℃～600℃)下从非晶硅(a-Si) 晶化成的多晶硅(p-si)。

LTPS由于其原子排列规则、载流子迁移率高(可达 10～300cm²/Vs)，因此具有较高的驱动电流，可提高薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)的电学性能。因此，采用LTPS作为薄膜晶体管中有源层的LTPS背板工艺已经成为显示器件领域的热门技术。

现有的LTPS量产工艺中通常采用ELA(Excimer laser anneal crystallization，准分子激光退火)工艺制作多晶硅薄膜。ELA设备资金投入较大，工艺中使用的昂贵的激光气体和激光器均属于消耗品，设备维护成本非常高。

发明内容

鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，利用导电层焦耳热诱导非晶硅向多晶硅的转化，不需要ELA设备，从而可降低生产成本和工艺复杂度。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面、本发明实施例提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：提供衬底基板；所述衬底基板的表面包括至少一个预设区域；在所述表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层；其中，所述导电层、所述隔离层和所述非晶硅层在所述表面上的正投影均覆盖所述预设区域；对所述非晶硅层进行构图工艺处理，形成位于所述预设区域内的多个非晶硅图案；在所述导电层上施加电压，通过使所述导电层发热诱导所述多个非晶硅图案结晶转化为多个多晶硅图案；或者，在所述导电层上施加电压，通过使所述导电层发热诱导所述非晶硅层位于所述预设区域内的部分转化为多晶硅层；对所述多晶硅层进行构图工艺处理，形成位于所述预设区域内的多个多晶硅图案。

可选的，所述在所述表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层，包括：形成至少覆盖所述预设区域的缓冲层；在所述缓冲层上依次形成导电层、隔离层和非晶硅层。

可选的，所述在所述导电层上施加电压，通过使所述导电层发热诱导所述多个非晶硅图案结晶转化为多个多晶硅图案之前，所述制备方法还包括：形成覆盖所述多个非晶硅图案的栅绝缘层。

可选的，所述表面包括以M行*N列的方式间隔排列的多个所述预设区域，M和N均为大于1的正整数；所述显示基板为阵列基板母板，每个预设区域对应于一个待形成的阵列基板；所述导电层在所述表面上的正投影与所述预设区域完全重叠；所述在所述表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层，还包括：形成与所述导电层同层设置的第一电极、第二电极和多条电极线，所述第一电极、所述第二电极和多条电极线均位于所述预设区域之外；其中，在每行所述预设区域中，位于每个预设区域中的每个导电层的行方向上的一端连接在一条电极线上，位于每个预设区域中的每个导电层的行方向上的另一端连接在另一条电极线上；所述第一电极与所述第二电极不接触；所述第一电极与所有的所述电极线的一端相连，所述第二电极与所有的所述电极线的另一端相连；所述在所述导电层上施加电压，包括：至少通过所述第一电极与所述第二电极向所述导电层施加电压。