[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810837809.8 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN109003941B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 杜建华;王鑫;强朝辉;高宇鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供衬底基板;所述衬底基板的表面包括至少一个预设区域;
在所述表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层;其中,所述导电层、所述隔离层和所述非晶硅层在所述表面上的正投影均覆盖所述预设区域;
对所述非晶硅层进行构图工艺处理,形成位于所述预设区域内的多个非晶硅图案;在所述导电层上施加电压,通过使所述导电层发热诱导所述多个非晶硅图案结晶转化为多个多晶硅图案;或者,在所述导电层上施加电压,通过使所述导电层发热诱导所述非晶硅层位于所述预设区域内的部分转化为多晶硅层;对所述多晶硅层进行构图工艺处理,形成位于所述预设区域内的多个多晶硅图案;
还包括:
所述表面包括以M行*N列的方式间隔排列的多个所述预设区域,M和N均为大于1的正整数;所述显示基板为阵列基板母板,每个预设区域对应于一个待形成的阵列基板;
所述导电层在所述表面上的正投影与所述预设区域完全重叠;
所述在所述表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层,还包括:
通过一次构图工艺形成与所述导电层同层设置的第一电极、第二电极和多条电极线,所述第一电极、所述第二电极和多条电极线均位于所述预设区域之外;其中,在每行所述预设区域中,位于每个预设区域中的每个导电层的行方向上的一端连接在一条电极线上,位于每个预设区域中的每个导电层的行方向上的另一端连接在另一条电极线上;所述第一电极与所述第二电极不接触;所述第一电极与所有的所述电极线的一端相连,所述第二电极与所有的所述电极线的另一端相连;
所述在所述导电层上施加电压,包括:
至少通过所述第一电极与所述第二电极向所述导电层施加电压。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在所述表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层,包括:
形成至少覆盖所述预设区域的缓冲层;
在所述缓冲层上依次形成导电层、隔离层和非晶硅层。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在所述导电层上施加电压,通过使所述导电层发热诱导所述多个非晶硅图案结晶转化为多个多晶硅图案之前,所述制备方法还包括:
形成覆盖所述多个非晶硅图案的栅绝缘层。
4.根据权利要求3所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在所述表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层,还包括:形成与所述导电层同层设置的至少一个第三电极;
其中,所述第三电极与所述第一电极、所述第二电极均不接触;
至少有相邻的两列所述预设区域之间设置有一个所述第三电极,所述第三电极与相邻的两列所述预设区域之间的所述电极线相连;
所述在所述导电层上施加电压,还包括:
通过第一电极、所述第二电极和所述第三电极向所述导电层施加电压。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,构成所述导电层的材料为遮光金属。
6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述导电层包括:
依次远离所述表面的金属铝层和金属钼层;或者,依次远离所述表面的第一层金属钼层、金属铝层和第二层金属钼层。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述金属铝层的厚度为所述金属钼层的厚度为
或者,
所述金属铝层的厚度为所述第一层金属钼层和所述第二层金属钼层的厚度均为
8.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述隔离层的厚度为和/或,所述非晶硅层的厚度为
9.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述电压为脉冲电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造