[发明专利]半导体接触结构、存储器结构及其制备方法

说明书

本发明提供一种半导体接触结构、存储器结构及其制备方法，包括如下步骤：所述存储器结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一半导体衬底；2）于半导体衬底内形成若干个平行间隔排布的字线；3）于半导体衬底上埋设若干个平行间隔排布的位线；4）于位线直线形成第一导电层；5）于第一导电层上形成第二导电材料层；6）采用回刻工艺刻蚀第二导电材料层形成第二导电层；7）于步骤6）所得结构的上表面形成重配置掩膜层；于重配置掩膜层内形成连接孔；8）于连接通孔内及重配置掩膜层上表面形成连接焊垫材料层；9）采用回刻工艺刻蚀连接焊垫材料层形成连接焊垫。本发明可以改善连接焊垫的接触电阻以及连接焊垫之间的桥接容限。

技术领域

本发明属于半导体集成电路制造技术领域，特别是涉及一种半导体接触结构、存储器结构及其制备方法。

背景技术

随着动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)制造工艺日益精细化，芯片中形成单元节点基础的图形制作越来越难，尤其是为了使存储单元节点和单元接触节点的基础容限增加，一般需要采用连接焊垫，但这使得连接焊垫的接触电阻以及连接焊垫之间的桥接容限变得更加脆弱。主要原因在于，现有技术中一般采用沉积同一导电材料层形成所述存储单元节点及所述连接焊垫层，即所述存储单元节点的同时形成连接焊垫层，然后再通过对所述连接焊垫层进行刻蚀以形成所述连接焊垫。然而，在刻蚀所述连接焊垫层，于所述连接焊垫层内形成开口以形成所述连接焊垫时，由于刻蚀副产物的存在，或者所述开口太小，抑或所述开口刻蚀错位，很容易导致形成的与所述存储单元节点1’电连接的相邻所述连接焊垫出现短路连接；而为了避免相邻所述连接焊垫电连接，需要刻蚀去除足够多的连接焊垫层，使得刻蚀形成的所述开口足够大，以使得相邻所述连接焊垫之间具有足够的间隙，然而，这样虽然可以改善…的问题，但会导致连接焊垫层过度消耗，使得所述连接焊垫与所述存储单元节点的连接部的宽度非常小，甚至会使得所述连接焊垫与所述存储单元节点断开，这无疑将显著增加所述连接焊垫与所述存储单元节点的接触电阻，进而影响所述存储器结构的性能。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体接触结构、存储器结构及其制备方法，用于解决现有技术中的形成连接焊垫时存在的相邻连接焊垫之间短路连接的问题，及形成连接焊垫时存在连接焊垫与存储单元节点连接部分的宽度太小甚至断开，从而导致连接焊垫与存储单元节点的接触电阻，影响存储器结构的性能的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种存储器结构的制备方法，所述存储器结构的制备方法包括以下步骤：

1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构隔离出若干个在所述半导体衬底内间隔排布的有源区；

2)于所述半导体衬底内埋设若干个平行间隔排布的字线，所述字线的延伸方向与所述有源区的长度向延伸方向相交在小于90度的第一角度；

3)于所述半导体衬底上形成若干个平行间隔排布的位线，所述位线的延伸方向与所述有源区的延伸方向相交在小于90度的第二角度，且所述位线的延伸方向与所述字线的延伸方向相交在小于等于90度的第三角度，所述第三角度大于所述第一角度及大于所述第二角度；每一位线均具有第一部分、第二部分及第三部分；沿着所述位线的延伸方向，所述位线的第一部分位于同一所述有源区中相邻所述字线之间且与所述有源区交迭的区域上；所述位线的第二部分位于所述字线上；所述位线的第三部分位于不同所述有源区之间的相邻所述字线之间，且所述位线的第三部分交迭于相邻所述有源区之间的所述浅沟槽隔离结构交迭的区域上，所述位线的第三部分在所述半导体衬底上的正投影还局部覆盖所述浅沟槽隔离结构两侧所述有源区的部分区域；沿所述字线的延伸方向，所述位线的第一部分与相邻的另一所述位线的第三部分同位于两相邻所述字线间的同一间隔中；