[发明专利]半导体接触结构、存储器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构隔离出若干个在所述半导体衬底内间隔排布的有源区；

2)于所述半导体衬底内埋设若干个平行间隔排布的字线，所述字线的延伸方向与所述有源区的长度向延伸方向相交在小于90度的第一角度；

3)于所述半导体衬底上形成若干个平行间隔排布的位线，所述位线的延伸方向与所述有源区的延伸方向相交在小于90度的第二角度，且所述位线的延伸方向与所述字线的延伸方向相交在小于等于90度的第三角度，所述第三角度大于所述第一角度及大于所述第二角度；每一位线均具有第一部分、第二部分及第三部分；沿着所述位线的延伸方向，所述位线的第一部分位于同一所述有源区中相邻所述字线之间且与所述有源区交迭的区域上；所述位线的第二部分位于所述字线上；所述位线的第三部分位于不同所述有源区之间的相邻所述字线之间，且所述位线的第三部分交迭于相邻所述有源区之间的所述浅沟槽隔离结构交迭的区域上，所述位线的第三部分在所述半导体衬底上的正投影还局部覆盖所述浅沟槽隔离结构两侧所述有源区的部分区域；沿所述字线的延伸方向，所述位线的第一部分与相邻的另一所述位线的第三部分同位于两相邻所述字线间的同一间隔中；

4)于所述位线的第三部分与其相邻的另一位线的第一部分之间形成第一导电层，所述第一导电层连接被所述位线的第三部分局部遮盖的所述有源区，所述第一导电层的上表面低于所述位线的上表面，所述第一导电层的下表面低于所述半导体衬底的上表面，所述第一导电层的底部局部嵌陷于所述有源区和所述浅沟槽隔离结构中；

5)于所述第一导电层上形成第二导电材料层，所述第二导电材料层的上表面高于所述位线的上表面；

6)采用回刻工艺刻蚀去除位于所述位线上的所述第二导电材料层，以形成第二导电层(17)，所述第二导电层的上表面不高于所述位线的上表面；

7)于步骤6)所得结构的上表面形成重配置掩膜层；于所述重配置掩膜层内形成连接孔，所述连接孔非中心对准的暴露出部分所述第二导电层；

8)于所述连接孔内及所述重配置掩膜层上表面形成连接焊垫材料层；及

9)采用回刻工艺刻蚀去除位于所述重配置掩膜层上表面的所述连接焊垫材料层，以形成位于所述连接孔内的连接焊垫，所述连接焊垫与所述第二导电层之间形成非中心对准的接触连接，所述连接焊垫局部迭置于相邻的所述位线的第一部分或第二部分上。

2.根据权利要求1所述的存储器结构的制备方法，其特征在于，步骤3)包括如下步骤：

3-1)于所述半导体衬底上形成若干个平行间隔排布的叠层结构，所述叠层结构包括由下至上依次叠置的导线黏附层、导线主体层及顶层介质层；所述叠层结构的延伸方向与所述有源区的延伸方向相交于所述第二角度，且与所述字线的延伸方向相交于所述第三角度；及

3-2)于所述叠层结构的两侧形成侧墙结构，所述侧墙结构与所述叠层结构共同构成所述位线。

3.根据权利要求2所述的存储器结构的制备方法，其特征在于，步骤3-1)之前还包括如下步骤：

刻蚀去除所述有源区的中央区域及部分相邻所述浅沟槽隔离结构以形成凹槽；及

于所述半导体衬底上形成所述隔离绝缘层，并于所述凹槽底部形成位线接触；其中，所述隔离绝缘层至少位于所述位线的第三部分的下方。

4.根据权利要求3所述的存储器结构的制备方法，其特征在于，步骤3-2)中包括如下步骤：

3-2-1)于所述叠层结构的外围形成第一侧墙介质层，所述第一侧墙介质层覆盖所述叠层结构的外壁、所述位线接触的外壁及所述隔离绝缘层的外壁；

3-2-2)于所述凹槽内形成绝缘介质层，所述绝缘介质层填满所述凹槽；

3-2-3)于所述第一侧墙介质层的外围形成第二侧墙介质层，所述第二侧墙介质层覆盖所述第一侧墙介质层的外壁；及

3-2-4)于所述第二侧墙介质层的外围形成第三侧墙介质层，所述第三侧墙介质层覆盖所述第二侧墙介质层的外壁。