[发明专利]电路板结构的制造方法

权利要求书

1.一种电路板结构的制造方法，其特征在于，包括：

实施一准备步骤：提供电路板，并且所述电路板包含有孔洞；其中，所述孔洞具有其孔深除以孔径的一深宽比，并且所述深宽比不小于4；

实施一第一电镀步骤：以一第一电流对所述电路板的所述孔洞于第一时段内进行电镀，并且所述第一电流具有第一电流密度值；以及

实施一第二电镀步骤：以一第二电流对所述电路板的所述孔洞于第二时段内进行电镀，并且所述第二电流具有第二电流密度值；

其中，所述第一电流密度值与所述第二电流密度值彼此相异、并且各介于4ASF～60ASF；

所述第一电镀步骤与所述第二电镀步骤之间进一步包括：

实施一电流转换步骤：以一阶梯电流对所述电路板的所述孔洞于一转换时段内进行电镀，并且所述阶梯电流具有阶梯电流密度值，而所述阶梯电流密度值在所述转换时段内、自所述第一电流密度值逐渐变更至所述第二电流密度值；其中，所述转换时段介于0～20分钟；

所述转换时段的时间长短是依据所述第一电流密度值与第二电流密度值的差值来决定；

其中，所述第一电流密度值与所述第二电流密度值的差值在2ASF以下时，所述转换时段为0分钟；所述第一电流密度值与所述第二电流密度值的差值在10ASF以上时，所述转换时段为20分钟；

其中，所述第一电流密度值与所述第二电流密度值的差值介于3～5ASF时，所述转换时段为1～11分钟；

其中，所述第一电流密度值与所述第二电流密度值的差值介于6～9ASF时，所述转换时段为12～19分钟。

2.如权利要求1所述的电路板结构的制造方法，其被实施以形成有镀设于所述孔洞的孔壁的传导体，以使所述传导体内缘包围形成有空间，并且所述第一电流密度值小于所述第二电流密度值。

3.如权利要求2所述的电路板结构的制造方法，其中，所述第一电流密度值介于4ASF～12ASF，并且所述第二电流密度值介于10ASF～30ASF。

4.如权利要求1所述的电路板结构的制造方法，其被实施以形成有镀满于所述孔洞的传导体，并且所述第一电流密度值大于所述第二电流密度值。

5.如权利要求4所述的电路板结构的制造方法，其中，所述第一电流密度值介于10ASF～60ASF，并且所述第二电流密度值介于4ASF～15ASF。

6.一种电路板结构的制造方法，其特征在于，包括：

实施一准备步骤：提供电路板，并且所述电路板包含有孔洞；其中，所述孔洞具有其孔深除以孔径的一深宽比，并且所述深宽比不小于4；以及

依序实施N个电镀步骤：每个所述电镀步骤以一电流对所述电路板的所述孔洞进行电镀，并且所述电流具有一电流密度值；其中，N为不小于2的正整数，并且N个所述电镀步骤中包含有两种以上的所述电流密度值，并且任一个所述电流密度值是介于4ASF～60ASF；

其中，当任两个依序实施的所述电镀步骤中，其所使用的两个所述电流密度值的差值大于2ASF时，实施一电流转换步骤；其中，所述电流转换步骤是以一阶梯电流对所述电路板的所述孔洞于一转换时段内进行电镀，并且所述阶梯电流具有一阶梯电流密度值，而所述阶梯电流密度值在所述转换时段内、自所使用的两个所述电流密度值中的实施在前的所述电流密度值逐渐变更至实施在后的所述电流密度值；其中，所述转换时段介于0～20分钟；

所述转换时段的时间长短是依据其所使用的两个所述电流密度值的差值来决定；

其中，其所使用的两个所述电流密度值的差值在2ASF以下时，所述转换时段为0分钟；其所使用的两个所述电流密度值的差值在10ASF以上时，所述转换时段为20分钟；

其中，其所使用的两个所述电流密度值的差值介于3～5ASF时，所述转换时段为1～11分钟；

其中，其所使用的两个所述电流密度值的差值介于6～9ASF时，所述转换时段为12～19分钟。