[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

再配线层；

多个凸块，设置在所述再配线层的第1面上；

多个芯片，积层在所述再配线层的第2面上；及

树脂构件，设置在所述第2面上，覆盖所述多个芯片；且

所述再配线层具有：

绝缘层；

配线，设置在所述绝缘层内；

第1通孔，设置在所述绝缘层内，与所述配线连接；

电极层，设置在所述绝缘层内，由与所述第1通孔的材料不同的金属材料形成，在所述第1面露出，且与所述第1通孔及所述凸块连接；及

第2通孔，设置在所述绝缘层内，与所述配线及所述多个芯片连接；且

所述电极层与所述第2面的距离短于所述第1面与所述第2面的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电极层的所述凸块侧的表面与所述第1面构成同一平面，或相对于所述第1面凹陷。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述电极层包含贵金属。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其进而具备设置在所述第1面上且与所述配线连接的控制用芯片。

5.一种半导体装置的制造方法，其具备如下步骤，即：

在支撑基板上，形成绝缘层、设置在所述绝缘层内且在所述绝缘层的下表面露出的多个第1通孔、设置在所述绝缘层内且与所述多个第1通孔连接的多个配线、及与所述配线连接且在所述绝缘层的上表面露出的多个第2通孔；

在所述绝缘层上积层多个芯片，并且将所述多个芯片连接于所述第2通孔；

在所述绝缘层上形成覆盖所述多个芯片的树脂构件；

将所述支撑基板除去；

通过对所述第1通孔的露出面进行蚀刻而在所述绝缘层的下表面形成凹部；

在所述凹部内形成包含与所述第1通孔的材料不同的金属材料的电极层；及

在所述电极层接合凸块。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中形成所述电极层的步骤具有如下步骤，即，在所述第1通孔的露出面无电解镀覆所述金属材料。