[发明专利]天线模块及制造天线模块的方法有效
| 申请号: | 201810831914.0 | 申请日: | 2018-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN109309280B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | 姜镐炅;金锡庆 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
| 主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q21/06 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田硕;金光军 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 天线 模块 制造 方法 | ||
本公开提供了一种天线模块及制造天线模块的方法,所述天线模块包括:集成电路(IC),被构造为生成射频(RF)信号;以及基板,包括提供所述基板的第一表面的天线部和提供所述基板的第二表面的电路图案部。所述天线部包括被构造为发送所述RF信号的第一天线构件、对应于所述第一天线构件的腔、分别设置在所述腔中并且分别电连接到所述第一天线构件的通过孔以及设置在所述腔中的至少一个腔中的镀覆构件。所述电路图案部包括电路图案和绝缘层,并且为每个所述通过孔形成到所述IC的电连接路径。
本申请要求分别于2017年7月28日和2017年9月22日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0096349号和第10-2017-0122447号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种天线模块和一种制造天线模块的方法。
背景技术
近来,对包括第五代(5G)通信的毫米波(mmWave)通信已经进行了研究,此外,近来已经对能够以合适性能实现毫米波(mmWave)通信的天线模块进行了研究。
发明内容
提供本发明内容以简化的形式对所选择的构思进行介绍,并且下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面,一种天线模块包括:集成电路(IC),被构造为生成射频(RF)信号;以及基板,包括提供所述基板的第一表面的天线部和提供所述基板的第二表面的电路图案部。所述天线部包括被构造为发送所述RF信号的第一天线构件、对应于所述第一天线构件的腔、分别设置在所述腔中并且分别电连接到所述第一天线构件的通过孔以及设置在所述腔中的至少一个腔中的镀覆构件。所述电路图案部包括电路图案和绝缘层,并且为每个所述通过孔形成到所述IC的电连接路径。
所述天线部还可包括至少部分地二维地围绕每个所述腔的绝缘构件。所述绝缘构件的厚度可大于所述绝缘层的厚度。
所述通过孔可形成所述电路图案部和所述第一天线构件中的对应的第一天线构件之间的线性连接。
所述镀覆构件可二维地围绕每个所述腔。
所述天线部还可包括和所述镀覆构件一起至少部分地二维地围绕每个所述腔的屏蔽过孔。
所述天线模块还可包括:介电构件,设置在至少一些所述腔中,并且至少部分地二维地围绕所述通过孔中的对应的通过孔,其中,所述介电构件的介电常数不同于所述绝缘层的介电常数。
所述介电构件的介电损耗因子(Df)可小于所述绝缘层的Df,并且所述介电构件的介电常数(Dk)可小于所述绝缘层的Dk。
所述第一天线构件可设置在对应的所述腔中,并且,所述天线部还可包括:第二天线构件,对应于所述第一天线构件;以及包封构件,至少部分地二维地围绕所述第二天线构件,并且形成所述第一表面。
所述IC可被构造为将通过设置在所述第二表面上的连接器或接收端口接收的信号转换为毫米波(mmWave)段的RF信号。
在另一总体方面,一种制造天线模块的方法包括:切割绝缘构件,从而在所述绝缘构件中形成腔;镀覆所述绝缘构件;在所述腔中形成第一天线构件和通过孔;将所述绝缘构件附着到包括电路图案的电路图案部;以及在所述电路图案部的表面上设置集成电路(IC)。
所述方法还可包括在所述绝缘构件上将包封构件和第二天线构件挤压在一起。
形成第一天线构件和通过孔的步骤可包括将所述通过孔形成为连接到所述第一天线构件中的相应的第一天线构件。将绝缘构件附着到电路图案部的步骤可包括设置所述绝缘构件使得所述通过孔连接到所述电路图案。
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