[发明专利]电子芯片

权利要求书

1.一种电子芯片，包括：

导电焊盘(4，6，8)，位于衬底(2)的前侧上，所述衬底由半导体材料制成；

腔体，从所述衬底(2)的背侧被刻蚀到所述衬底(2)中，每个腔体到达导电焊盘(4，6，8)；

导电层，覆盖所述腔体的壁和底部，并且包括所述导电层(10)的多个部分(16，18)，每个部分在所述背侧上延伸在两个腔体之间，所述导电层(10)的每个部分(16，18)局部地位于突起(14)上并且电连接两个导电焊盘，所述多个部分包括连续部分和中断部分；以及

检测电路，能够检测在电连接的导电焊盘(4，6，8)之间测量的电气特性的变化。

2.根据权利要求1所述的电子芯片，其中每个突起(14)的长度在分离所述腔体的距离的10％到40％的范围内，所述腔体具有位于其间的所述突起(14)。

3.根据权利要求1或2所述的电子芯片，其中所述中断部分在所述突起(14)的较低部分的层级处被中断。

4.根据权利要求1或2所述的电子芯片，其中绝缘材料(12)填充所述腔体、并且覆盖所述芯片的背侧和所述导电层(10)，所述绝缘材料(12)是不透明的、并且相对于所述导电层(10)的材料具有低刻蚀选择性。

5.根据权利要求1或2所述的电子芯片，其中所述突起(14)由与所述衬底(2)相同的材料制成。

6.根据权利要求1或2所述的电子芯片，其中所述突起(14)由电绝缘材料制成。

7.根据权利要求1或2所述的电子芯片，其中所述检测电路能够测量导电焊盘(4，6，8)之间的电阻，并且每个导电焊盘直接连接到所述导电层(10)。

8.根据权利要求1或2所述的电子芯片，其中所述检测电路能够测量导电焊盘(4，6，8)之间的电容，并且每个导电焊盘通过绝缘材料的第一层而与所述导电层(10)分离。

9.一种制造电子芯片的方法，所述方法包括：

a)在半导体衬底(2)的前侧上形成导电焊盘(4，6，8)；

b)从所述半导体衬底(2)的背侧刻蚀腔体，所述腔体与所述导电焊盘相对；

c)刻蚀所述半导体衬底(2)的所述背侧直到所述腔体到达对应的导电焊盘，并且在腔体之间形成突起(14)；

d)利用导电层(10)覆盖所述半导体衬底(2)的所述背侧；以及

e)刻蚀所述导电层以形成多个部分(16，18)，每个部分在两个腔体之间延伸，每个部分局部地位于突起(14)上并且电连接两个导电焊盘，所述多个部分包括连续部分和中断部分；

f)在所述半导体衬底的前侧上设置检测电路，所述检测电路配置为检测电连接的导电焊盘之间测量的电特性的变化。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述中断部分在所述突起(14)的层级处被中断。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述突起(14)通过刻蚀掩膜部分(20)形成。

12.根据权利要求9或10所述的方法，其中在步骤c)和d)之间，绝缘材料的第一层被沉积在所述腔体的壁和底部上，以及其中，利用所述导电层覆盖所述半导体衬底的所述背侧包括覆盖所述绝缘材料的层。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：利用绝缘材料填充所述腔体。

14.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述半导体衬底的前侧处形成集成电路，所述集成电路包括耦合至所述导电焊盘的所述检测电路。