[发明专利]一种阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S21、提供一衬底基板；

步骤S22、在所述衬底基板上沉积第一金属层，并通过第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化，形成底栅；

步骤S23、在所述衬底基板及所述底栅上形成有第一栅绝缘层；

步骤S24、在所述第一栅绝缘层上沉积金属导电氧化物膜层，并通过第二道光罩制程对所述金属导电氧化物膜层进行图案化，形成半导体层；

步骤S25、在所述半导体层及所述第一栅绝缘层上形成有绝缘膜层，采用第三道光罩制程对所述绝缘膜层进行图案化，形成为位于所述半导体层上的第二栅绝缘层；

步骤S26、在所述第一栅绝缘层、第二栅绝缘层及半导体层上沉积第二金属层，且在所述第二金属层涂布光阻层，并通过第四道光罩制程对所述光阻层进行灰阶曝光，使所述光阻层进行图案化，形成相互间隔的第一光阻区域、第二光阻区域和第三光阻区域；

步骤S27、通过蚀刻制程移除未被第一光阻区域、第二光阻区域和第三光阻区域覆盖的第二金属层，形成源漏极以及位于所述第二栅绝缘层上的顶栅；

步骤S28、对所述第一光阻区域、第二光阻区域和第三光阻区域进行灰化处理，去除所述第一光阻区域和所述第三光阻区域，保留部分第二光阻区域；所述部分第二光阻区域对应欲形成像素电极；

步骤S29、在所述半导体层、源漏极和顶栅以及所述部分第二光阻区域上形成有保护层；

步骤S30、通过光阻剥离工艺剥离所述部分第二光阻区域，以将所述部分第二光阻区域上的保护层带走，形成过孔；

步骤S31、在所述保护层上和所述源漏极上沉积透明导电膜，并通过第五道光罩制程对所述透明导电膜进行图案化，形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述源漏极连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二光阻区域包括中间部和位于中间部两侧的侧部，所述中间部的厚度高于侧部的厚度。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S28中对所述第二光阻区域进行灰化处理的步骤具体为去除所述侧部并减少所述中间部的厚度，保留部分第三光阻区域。

4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S41、提供一衬底基板；

步骤S42、在所述衬底基板上形成有缓冲层；

步骤S43、在所述缓冲层上沉积金属导电氧化物膜层，并通过第一道光罩制程对所述金属导电氧化物膜层进行图案化，形成半导体层；

步骤S44、在所述半导体层及所述缓冲层上沉积绝缘膜层后，采用第二道光罩制程对所述绝缘膜层进行图案化，形成位于所述半导体层上的栅绝缘层；

步骤S45、在所述缓冲层、半导体层及栅绝缘层上沉积金属层，且在所述金属层涂布光阻层，并通过第三道光罩制程对所述光阻层进行灰阶曝光，使所述光阻层进行图案化，形成相互间隔的第一光阻区域、第二光阻区域和第三光阻区域；

步骤S46、通过蚀刻制程移除未被第一光阻区域、第二光阻区域和第三光阻区域覆盖的金属层，形成源漏极以及位于所述栅绝缘层上的栅极；

步骤S47、对所述第一光阻区域、第二光阻区域和第三光阻区域进行灰化处理，去除所述第一光阻区域和所述第三光阻区域，保留部分第二光阻区域；所述部分第二光阻区域对应欲形成像素电极；

步骤S48、在所述半导体层、源漏极和栅极以及所述部分第二光阻区域上形成有保护层；

步骤S49、通过光阻剥离工艺剥离所述部分第二光阻区域，以将所述部分第二光阻区域上的保护层带走，形成过孔；

步骤S410、在所述保护层上和所述源漏极上沉积透明导电膜，并通过第四道光罩制程对所述透明导电膜进行图案化，形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述源漏极连接。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二光阻区域包括中间部和位于中间部两侧的侧部，所述中间部的厚度高于侧部的厚度。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S47中对所述第二光阻区域进行灰化处理的步骤具体为去除所述侧部并减少所述中间部的厚度，保留部分第三光阻区域。