[发明专利]半导体封装及其形成方法

说明书

本发明涉及半导体封装及其形成方法。形成半导体封装的方法的实施方式可包括在晶圆的第一侧中形成多个凹槽，晶圆的第一侧包括多个电触点。所述方法还可包括使用模塑料涂布晶圆的第一侧和多个凹槽的内部，磨削晶圆的第二侧以将所述晶圆减薄到所需厚度，在晶圆的第二侧上形成背金属，通过磨削模塑料的第一侧来暴露多个电触点，以及在多个凹槽处对所述晶圆进行切单以形成多个半导体封装。

技术领域

本文件的各方面整体涉及半导体封装。更具体的实施方式涉及薄功率半导体封装及制备薄功率半导体封装的方法。

背景技术

减小半导体封装尺寸总体上带来了经济效益以及技术效益，诸如半导体器件的速度和功率的提升。薄半导体封装对于芯片堆叠技术是有利的。半导体封装可由减薄的管芯形成，该减薄的管芯由磨削的半导体晶圆制成。

发明内容

形成半导体封装的方法的实施方式可包括在晶圆的第一侧中形成多个凹槽，该晶圆的第一侧包括多个电触点。该方法还可包括使用模塑料涂布晶圆的第一侧和所述多个凹槽的内部，磨削晶圆的第二侧以将晶圆减薄到所需厚度，在晶圆的第二侧上形成背金属，通过磨削模塑料的第一侧来暴露所述多个电触点，以及在所述多个凹槽处对晶圆进行切单(singulate)以形成多个半导体封装。

形成半导体封装的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

该方法可包括在晶圆的第二侧上形成穿过背金属的沟槽，使用第二模塑料涂布晶圆的第二侧和背金属层，以及将第二模塑料磨削到所需厚度。

可使用蚀刻技术形成所述多个凹槽。

所述多个凹槽中的每个凹槽可为阶梯式凹槽。

晶圆的一部分可将背金属和所述多个凹槽分开。

可使用液体分配方法、传递模塑方法和压塑方法中的一者施加第一模塑料。

在磨削晶圆的第二侧期间可移除晶圆的基本上90％的背面部分。

可在向晶圆的第二侧施加基本上5psi的压力的情况下使第一模塑料在100与200摄氏度之间固化。

形成半导体封装的方法的实施方式可包括在与晶圆的第一侧相对的晶圆的第二侧中形成多个凹槽，该晶圆的第一侧包括多个电触点。该方法可包括使用第一模塑料涂布晶圆的第一侧，使用第二模塑料涂布晶圆的第二侧，将第二模塑料磨削到所需厚度，在第二模塑料及晶圆的第二侧上方形成金属层，通过磨削第一模塑料的第一侧来暴露所述多个电触点，以及沿着所述多个凹槽对晶圆进行切单，从而形成多个半导体封装。

形成半导体封装的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

可使用蚀刻技术形成所述多个凹槽。

可使用液体分配方法、传递模塑方法和压塑方法中的一者施加第一模塑料。

可使用机械抛光和化学蚀刻技术中的一者磨削第一模塑料和第二模塑料。

半导体封装的实施方式可包括具有第一侧、第二侧、第三侧、第四侧、第五侧和第六侧的管芯，该管芯具有第一侧与第二侧之间的厚度，该厚度小于25微米厚。该封装还可包括耦接到管芯的第一侧的多个电触点；覆盖管芯的第一侧的一部分、管芯的第二侧的一部分、管芯的第三侧的一部分、管芯的第四侧的一部分以及管芯的第五侧的一部分的第一模塑料，其中所述多个电触点穿过第一模塑料暴露；以及耦接到管芯的第六侧的金属层。

半导体封装的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

管芯的第一侧可包括管芯周边周围的凹槽。

管芯的第六侧可包括管芯周边周围的凹槽。

晶圆可小于10微米厚。