[发明专利]半导体封装及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体封装的方法，包括：

在晶圆的第一侧形成多个凹槽，所述多个凹槽深入到所述晶圆的所述第一侧中，所述晶圆的所述第一侧包括多个电触点；

使用模塑料涂布所述晶圆的所述第一侧和所述多个凹槽的内部；

磨削所述晶圆的第二侧以将所述晶圆减薄到所需厚度；

在所述晶圆的第二侧上形成背金属；

通过磨削所述模塑料的第一侧来暴露所述多个电触点；以及

在所述多个凹槽处对所述晶圆进行切单以形成多个半导体封装。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述晶圆的所述第二侧上形成穿过所述背金属的沟槽，使用第二模塑料涂布所述晶圆的所述第二侧和所述背金属，以及将所述第二模塑料磨削到所需厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个凹槽中的每个凹槽是阶梯式凹槽。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶圆的所述第二侧被磨削到所述多个凹槽的深度处。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶圆的一部分将所述背金属和所述多个凹槽分开。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在磨削所述晶圆的所述第二侧期间移除所述晶圆的基本上90％的背面部分。

7.一种形成半导体封装的方法，包括：

在与晶圆的第一侧相对的晶圆的第二侧中形成多个凹槽，所述晶圆的所述第一侧包括多个电触点；

使用第一模塑料涂布所述晶圆的所述第一侧；

使用第二模塑料涂布所述晶圆的所述第二侧；

将所述第二模塑料磨削到所需厚度；

在所述第二模塑料及所述晶圆的所述第二侧上方形成金属层；

通过磨削所述第一模塑料的第一侧来暴露所述多个电触点；以及

沿着所述多个凹槽对所述晶圆进行切单，从而形成多个半导体封装。

8.一种半导体封装，包括：

具有第一侧、第二侧、第三侧、第四侧、第五侧和第六侧的管芯，所述管芯具有所述第一侧与所述第二侧之间的厚度，所述厚度小于25微米厚；

耦接到所述管芯的所述第一侧的多个电触点；

覆盖所述管芯的所述第一侧的一部分、所述管芯的所述第二侧的一部分、所述管芯的所述第三侧的一部分、所述管芯的所述第四侧的一部分以及所述管芯的所述第五侧的一部分的第一模塑料，其中所述多个电触点穿过所述第一模塑料暴露；以及

耦接到所述管芯的所述第六侧的金属层。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述晶圆小于10微米厚。

10.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述第一模塑料完全覆盖所述管芯的所述第二侧、所述管芯的所述第三侧、所述管芯的所述第四侧和所述管芯的所述第五侧。