[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明涉及用于控制基板上的等离子体环境的基板处理装置。基板处理装置包括：工艺腔室，在内部限定处理空间；气体喷射部，设置在所述工艺腔室，并且向所述处理空间供应工艺气体；静电吸盘，在所述工艺腔室与所述气体喷射部相互面对面设置，并包括静电电极，用于在安装于所述工艺腔室上部的基板施加静电力；等离子体电源供应部，包括至少一个RF电源，以对所述气体喷射部施加至少一个RF电源，进而在所述工艺腔室内部形成等离子体环境；静电力电源供应部，包括DC电源，进而对所述静电电极供应DC电力；静电吸盘电流控制电路部，为了控制所述气体喷射部及所述静电吸盘之间的等离子体环境，在所述静电电极与所述静电力电源供应部并联连接。

技术领域

本发明涉及半导体制造，更详细地说涉及利用等离子体的基板处理装置。

背景技术

在半导体元件的制造中，正在适用利用等离子体的工艺。例如，利用等离子体激活工艺气体，可使在低的工艺温度也能够以快速执行沉积或者蚀刻等的工艺。在利用该等离子体的基板处理装置中，对等离子体环境的控制非常重要，诸如根据工艺腔室控制等离子体的匹配、气体量、压力等的工艺变数等。

但是，现有技术的等离子体的控制中，根据工艺腔室条件，进行阻抗匹配，进而可稳定工艺腔室内等离子体环境，但是由于工艺腔室整体被接地，因此在将基板上流动的电流最优化方面存在局限性。尤其是，在适用静电吸盘的基板处理装置中，有必要精确地控制考虑静电力的基板上的等离子体环境。

发明内容

(要解决的问题)

本发明是用于解决包括上述问题的各种问题，目的在于提供考虑静电吸力来控制基板上的等离子环境，进而能够控制工艺条件的基板处理装置。但是，上述课题不过是示例性的，不得由此限定本发明的范围。

(解决问题的手段)

用于解决上述课题的根据本发明观点的基板处理装置包括：工艺腔室，在内部限定处理空间；气体喷射部，设置在所述工艺腔室，并且向所述处理空间供应工艺气体；静电吸盘，在所述工艺腔室与所述气体喷射部相互面对面设置，并且包括静电电极，用于在安装于所述工艺腔室上部的基板施加静电力；等离子体电源供应部，包括至少一个RF电源，以对所述气体喷射部施加至少一个RF电源，进而在所述工艺腔室内部形成等离子体环境；阻抗匹配部，为了所述至少一个RF电源与所述工艺腔室的阻抗匹配，连接于所述等离子体电源供应部以及所述气体喷射部之间；静电力电源供应部，包括DC电源，进而对所述静电电极供应DC电力；静电吸盘电流控制电路部，为了控制所述气体喷射部以及所述静电吸盘之间的等离子体环境，在所述静电电极与所述静电力电源供应部并联连接，并且使至少一个RF电流通过，并且断绝从所述静电力电源供应部引入的DC电流，所述RF电流通过所述至少一个RF电源生成并通过所述静电电极流动。

在所述基板处理装置中，所述静电吸盘电流控制电路部可包括：用于通过所述至少一个RF电流的至少一个RF滤波器；以及用于断绝所述DC电流的至少一个DC隔绝元件。

在所述基板处理装置中，所述至少一个RF电源包括：第一频带的第一RF电源以及大于所述第一频带的第二频带的第二RF电源；所述静电吸盘电流控制电路部可包括：用于至少通过所述第一频带的第一RF电流的第一RF滤波器；用于至少通过所述第二频带的第二RF电流的第二RF滤波器；以及用于断绝所述DC电流的至少一个电容器。

在所述基板处理装置中，所述第一RF电源是所述第一频带至少是包括370kHz的低频(LF)电源；所述第二RF电源是所述第二频带至少是包括27.12MHz的高频(HF)电源；所述至少一个电容器可包括第一电容器，所述第一电容器串联连接于所述静电电极以及所述第一RF滤波器之间；所述第一RF滤波器以及所述第一电容器的串联连接结构可与所述第二RF滤波器并联连接。