[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

工艺腔室，在内部限定处理空间；

气体喷射部，设置在所述工艺腔室，并且向所述处理空间供应工艺气体；

静电吸盘，在所述工艺腔室与所述气体喷射部相互面对面设置，并且包括静电电极，用于在安装于所述工艺腔室上部的基板施加静电力；

等离子体电源供应部，包括至少一个RF电源，以对所述气体喷射部施加至少一个RF电源，进而在所述工艺腔室内部形成等离子体环境；

阻抗匹配部，为了所述至少一个RF电源与所述工艺腔室的阻抗匹配，连接于所述等离子体电源供应部以及所述气体喷射部之间；

静电力电源供应部，包括DC电源，进而对所述静电电极供应DC电力；

静电吸盘电流控制电路部，为了控制所述气体喷射部以及所述静电吸盘之间的等离子体环境，在所述静电电极与所述静电力电源供应部并联连接，并且使至少一个RF电流通过，并且断绝从所述静电力电源供应部引入的DC电流，所述RF电流通过所述至少一个RF电源生成并通过所述静电电极流动。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述静电吸盘电流控制电路部包括：用于通过所述至少一个RF电流的至少一个RF滤波器；以及用于断绝所述DC电流的至少一个DC隔绝元件。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述至少一个RF电源包括：第一频带的第一RF电源以及大于所述第一频带的第二频带的第二RF电源；

所述静电吸盘电流控制电路部包括：用于至少通过所述第一频带的第一RF电流的第一RF滤波器；用于至少通过所述第二频带的第二RF电流的第二RF滤波器；以及用于断绝所述DC电流的至少一个电容器。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一RF电源是所述第一频带至少是包括370kHz的低频电源；

所述第二RF电源是所述第二频带至少是包括27.12MHz的高频电源；

所述至少一个电容器包括第一电容器，所述第一电容器串联连接于所述静电电极以及所述第一RF滤波器之间；

所述第一RF滤波器以及所述第一电容器的串联连接结构与所述第二RF滤波器并联连接。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一RF滤波器包括带阻滤波器，所述带阻滤波器通过除了所述第二RF电流以外的其余RF电流；

所述第二RF滤波器包括带通滤波器，所述带通滤波器用于通过所述第二RF电流的同时断绝所述DC电流。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一RF滤波器包括相互并联连接的第一电感器以及第二电容器；

所述第二RF滤波器包括相互串联连接的第二电感器以及第三电容器。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一RF滤波器包括第四电容器，所述第四电容器串联连接于所述第一电感器以及所述第二电容器的并联连接结构与接地部之间。

8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第二频带具有13.56MHz至27.12MHz的频率范围；所述第一频带具有300kHz至600kHz的频率范围。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述静电力电源供应部包括DC滤波器，所述DC滤波器配置在所述静电电极以及所述DC电源之间，以用于断绝通过所述静电电极的所述至少一个RF电流引入到所述DC电源。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述静电吸盘包括：加热器，用于加热所述基板；

加热器电源部，连接于所述加热器以对所述加热器施加AC电力；以及

第三RF滤波器，连接于所述加热器电源部以及所述加热器之间。