[发明专利]集成电路储存器的多位元信号传递方法

说明书

本发明提供了一种集成电路存储器的多位元信号传递方法。由于集成电路存储器的组合存储单元具有相互补偿的多个存储子单元(包括第一存储子单元和第二存储子单元)，从而在对组合存储单元执行读取操作时，可利用多个存储子单元对共同连接的位线进行充电，以确保位线的电平值达到所需的读取电平值，进而可使存储数据能够从组合存储单元中被成功读取出。即，本发明提供的集成电路存储器其组合存储单元具备自我补偿功能，能够实现多位元信号传递(例如，双位元信号传递)，有利于保障组合存储单元的读取性能。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及一种集成电路储存器的多位元信号传递方法。

背景技术

在传统的集成电路存储器中，例如动态随机存储器(Dynamic Random AccessMemory，DRAM)，其一个存储单元通常是利用一个存储电容进行数据的存储。并且，在集成电路存储器的操作过程中(例如，写入操作和读取操作)，各个存储单元独立执行相应的操作，例如在存储器的读取过程中，各个存储单元各自独立的从对应的存储电容中将存储数据读出。

然而，在存储器的研发设计和制备过程中，不可避免的存在具有缺陷的存储单元，由于传统的存储器中各个存储单元是各自独立并独立的执行相关操作，因此当存在具有缺陷的存储单元时，具有缺陷的存储单元难以被替换，从而将导致存储单元无法正常运行(例如，存储数据无法读取成功)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种集成电路储存器的多位元信号传递方法，以解决现有的集成电路存储器中单一的存储单元由于性能异常而无法成功读取其存储数据的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种集成电路储存器的多位元信号传递方法，包括：

提供一集成电路存储器，集成电路存储器包括至少一个组合存储单元，每一所述组合存储单元包括第一存储子单元和第二存储子单元，所述第一存储子单元和所述第二存储子单元连接至同一位线上，并设定所述位线的读取电平值；

对所述位线进行充电至第一电平值，包括在第一时间段经由所述位线读出所述组合存储单元的所述第一存储子单元中的存储数据；

当所述第一电平值达到所述读取电平值，读取所述组合存储单元中的存储数据；以及，

当所述第一电平值未达到所述读取电平值，对所述位线继续充电至第二电平值，包括在第二时间段经由所述位线读出所述组合存储单元中的所述第二存储子单元的存储数据，其中所述第二时间段晚于所述第一时间段，以执行所述集成电路储存器的读取信号的传递。

可选的，所述集成电路储存器的多位元信号传递方法，还包括：同时开启所述组合存储单元中的所述第一存储子单元和所述第二存储子单元，并将存储数据通过所述位线写入所述第一存储子单元和所述第二存储子单元中，以使所述第一存储子单元和所述第二存储子单元中的电平值提高，以执行所述集成电路储存器的写入信号的传递。

可选的，所述集成电路储存器的多位元信号传递方法，还包括：

开启所述组合存储单元中的所述第一存储子单元，并将存储数据通过所述位线写入所述第一存储子单元，以使所述第一存储子单元的电平值提高；以及，

开启所述组合存储单元中的所述第二存储子单元，并将存储数据通过所述位线写入所述第二存储子单元，以使所述第二存储子单元的电平值提高，所述第二存储子单元的写入电平值大于所述第一存储子单元的写入电平值，以执行所述集成电路储存器的写入信号的传递。

可选的，所述集成电路存储器还包括：

多条第一字线和多条第二字线，所述第一字线和所述第二字线均沿着第一方向延伸，并且所述组合存储单元中的所述第一存储子单元与所述第一字线相交，所述第二存储子单元与所述第二字线相交，以利用所述第一字线和所述第二字线分别控制所述第一存储子单元和所述第二存储子单元的开启状态。