[发明专利]集成电路储存器的多位元信号传递方法

权利要求书

1.一种集成电路储存器的多位元信号传递方法，其特征在于，包括：

提供一集成电路存储器，所述集成电路存储器包括至少一个组合存储单元，每一所述组合存储单元包括第一存储子单元和第二存储子单元，所述第一存储子单元包括第一存储电容，所述第二存储子单元包括第二存储电容，所述第一存储子单元和所述第二存储子单元连接至同一位线上，并设定所述位线的读取电平值；

开启所述组合存储单元中的所述第一存储子单元和所述第二存储子单元，并将存储数据通过所述位线写入所述第一存储子单元中的第一存储电容和所述第二存储子单元中的第二存储电容，使所述第一存储子单元和所述第二存储子单元中的电平值提高，以对所述组合存储单元执行写入信号的传递；

所述第一存储电容对所述位线进行充电至第一电平值，包括在第一时间段经由所述位线读出所述组合存储单元的所述第一存储子单元中的存储数据；

当所述第一电平值达到所述读取电平值，读取所述组合存储单元中的存储数据；以及，

当所述第一电平值未达到所述读取电平值，所述第二存储电容对所述位线继续充电至第二电平值，包括在第二时间段经由所述位线读出所述组合存储单元中的所述第二存储子单元的存储数据，其中所述第二时间段晚于所述第一时间段，以执行所述组合存储单元的读取信号的传递。

2.如权利要求1所述的集成电路储存器的多位元信号传递方法，其特征在于，还包括：

开启所述组合存储单元中的所述第一存储子单元，并将存储数据通过所述位线写入所述第一存储子单元，以使所述第一存储子单元的电平值提高；以及，

开启所述组合存储单元中的所述第二存储子单元，并将存储数据通过所述位线写入所述第二存储子单元，以使所述第二存储子单元的电平值提高，所述第二存储子单元的写入电平值大于所述第一存储子单元的写入电平值，以对所述组合存储单元执行写入信号的传递。

3.如权利要求1所述的集成电路储存器的多位元信号传递方法，其特征在于，所述集成电路存储器还包括：

多条第一字线和多条第二字线，所述第一字线和所述第二字线均沿着第一方向延伸，并且所述组合存储单元中的所述第一存储子单元与所述第一字线相交，所述第二存储子单元与所述第二字线相交，以利用所述第一字线和所述第二字线分别控制所述第一存储子单元和所述第二存储子单元的开启状态。

4.如权利要求3所述的集成电路储存器的多位元信号传递方法，其特征在于，所述第一存储电容连接第一存储晶体管的漏区，所述位线连接所述第一存储晶体管的源区，所述第一字线连接所述第一存储晶体管的栅极；

以及，所述第二存储电容连接第二存储晶体管的漏区，所述位线连接所述第二存储晶体管的源区，所述第二字线连接所述第二存储晶体管的栅极。

5.如权利要求4所述的集成电路储存器的多位元信号传递方法，其特征在于，还包括：

对所述第一字线施加字线电压，以使所述第一存储子单元的所述第一存储晶体管导通，并将存储数据写入所述第一存储子单元的所述第一存储电容中；以及，

对所述第二字线施加字线电压，以使所述第二存储子单元的所述第二存储晶体管导通，并将存储数据写入所述第二存储子单元的所述第二存储电容中，以对所述组合存储单元执行写入信号的传递。

6.如权利要求4所述的集成电路储存器的多位元信号传递方法，其特征在于，在执行所述组合存储单元的读取信号的传递的过程中，还包括：

在所述第一时间段，对所述第一字线施加字线电压，以使所述第一存储子单元的所述第一存储晶体管导通，并将存储数据从所述第一存储电容中读取至所述位线，以对所述位线进行充电至所述第一电平值；以及，

当所述第一电平值未达到所述读取电平值时，在所述第二时间段，对所述第二字线施加字线电压，以使所述第二存储子单元的所述第二存储晶体管导通，并将存储数据从所述第二存储电容中读取至所述位线，以对所述位线继续充电至所述第二电平值。