[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，所述制备方法包括步骤：提供一衬底；通过构图工艺在所述衬底上形成栅极和栅绝缘层，所述栅绝缘层包括源区、背沟道区、漏区，所述背沟道区位于所述源区和所述漏区之间；在所述栅绝缘层上沉积第一金属氧化物层、第一金属层，刻蚀所述第一金属氧化物层、第一金属层，以形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极；通过构图工艺在所述背沟道区形成第三半导体层，所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层构成有源层。本发明提出的薄膜晶体管的制备方法，能够避免形成源极、漏极采用的酸蚀刻液对有源层造成损坏，提升薄膜晶体管的稳定性。

技术领域

本发明涉及阵列基板制造技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。

背景技术

金属氧化物半导体因具有迁移率高、漏电流低、均一性好的特点，适用于大尺寸、柔性透明等应用领域中，并可制备出尺寸较小的薄膜晶体管器件。将金属氧化物半导体作为薄膜晶体管器件的有源层，能够提高显示透过率，从而使得金属氧化物半导体在显示领域中得到了高度的重视和研究。

目前，金属氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)的难点与问题点主要集中在 OxideTFT的高温光照下的偏压稳定性(NBTIS、PBTIS)和对环境(水、氧) 的稳定性，而从工艺角度考虑，这主要是由于器件制备工艺过程中，金属层刻蚀时的酸蚀刻液与金属氧化物有源层反应或出现残留，造成对金属氧化物有源层的损坏，从而使器件稳定性变差。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，能够避免对有源层造成损坏，提升器件的稳定性。

本发明提出的具体技术方案为：提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括步骤：

提供一衬底；

通过构图工艺在所述衬底上形成栅极和栅绝缘层，所述栅绝缘层包括源区、背沟道区、漏区，所述背沟道区位于所述源区和所述漏区之间；

在所述栅绝缘层上沉积第一金属氧化物层、第一金属层，刻蚀所述第一金属氧化物层、第一金属层，以形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极；

通过构图工艺在所述背沟道区形成第三半导体层，所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层构成有源层。

进一步地，在所述栅绝缘层上沉积第一金属氧化物层、第一金属层，刻蚀所述第一金属氧化物层、第一金属层，以形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极步骤具体包括：

在所述栅绝缘层上沉积第一金属氧化物层；

图案化所述第一金属氧化物层，以获得图案化的金属氧化物层；

在所述图案化的金属氧化物层上沉积第一金属层；

刻蚀所述第一金属层、图案化的金属氧化物层，形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极。

进一步地，在所述栅绝缘层上沉积第一金属氧化物层、第一金属层，刻蚀所述第一金属氧化物层、第一金属层，以形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极步骤具体包括：

在所述栅绝缘层上依次沉积第一金属氧化物层、第一金属层、光刻胶；

图案化所述第一金属氧化物层、第一金属层、光刻胶；

去除光刻胶，形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极。

进一步地，通过构图工艺在所述背沟道区形成第三半导体层步骤具体包括：

在所述源极、漏极上沉积第二金属氧化物层；