[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：

提供一衬底；

通过构图工艺在所述衬底上形成栅极和栅绝缘层，所述栅绝缘层包括源区、背沟道区、漏区，所述背沟道区位于所述源区和所述漏区之间；

在所述栅绝缘层上沉积第一金属氧化物层、第一金属层，刻蚀所述第一金属氧化物层、第一金属层，以形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极；

通过构图工艺在所述背沟道区形成第三半导体层，所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层构成有源层；其中，通过构图工艺在所述背沟道区形成第三半导体层步骤具体包括：在所述源极、漏极上沉积第二金属氧化物层；图形化所述第二金属氧化物层，且仅保留所述背沟道区上的第二金属氧化物层，以此形成所述第三半导体层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述栅绝缘层上沉积第一金属氧化物层、第一金属层，刻蚀所述第一金属氧化物层、第一金属层，以形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极步骤具体包括：

在所述栅绝缘层上沉积第一金属氧化物层；

图案化所述第一金属氧化物层，以获得图案化的金属氧化物层；

在所述图案化的金属氧化物层上沉积第一金属层；

刻蚀所述第一金属层、图案化的金属氧化物层，形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述栅绝缘层上沉积第一金属氧化物层、第一金属层，刻蚀所述第一金属氧化物层、第一金属层，以形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极步骤具体包括：

在所述栅绝缘层上依次沉积第一金属氧化物层、第一金属层、光刻胶；

图案化所述第一金属氧化物层、第一金属层、光刻胶；

去除光刻胶，形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过构图工艺在所述衬底上形成栅极和栅绝缘层步骤具体包括：

在所述衬底上沉积第二金属层；

图像化所述第二金属层，在所述衬底上形成栅极；

在所述衬底上沉积一绝缘材料层，形成栅绝缘层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在通过构图工艺在所述背沟道区形成第三半导体层步骤之后，所述制备方法还包括：

在所述源极、漏极上沉积钝化材料层，形成钝化层。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属氧化物层的材质为铟镓锌氧化物、铝掺杂氧化锌、氧化铟。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1～6任一项所述的方法制备而成。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求7所述的薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极层，所述像素电极层通过过孔与所述漏极连接。