[发明专利]像素阵列基板及其驱动方法有效
申请号: | 201810819972.1 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN108922899B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 俞方正;陈振彰;曹梓毅;刘品妙;蔡正晔 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09G3/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 驱动 方法 | ||
一种像素阵列基板及其驱动方法,其中像素阵列基板包括基板、位于基板上的至少一像素结构以及液晶层。至少一像素结构包括微型发光二极管、支撑墙、位于支撑墙与微型发光二极管之间的第一底电极以及设置于支撑墙上且与第一底电极分离的第一顶电极。微型发光二极管包括第一电极、电性连接第一电极的第一半导体层、第二半导体层、位于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层以及电性连接第二半导体层的第二电极。液晶层设置于第一底电极上且位于支撑墙与微型发光二极管之间。
技术领域
本发明涉及一种基板及其驱动方法,且特别涉及一种像素阵列基板及其驱动方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode;LED)为一种发光元件,因其具低功耗、高亮度、高分辨率及高色彩饱和度等特性,因而适用于构建发光二极管显示面板的像素结构。微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode;LED)不仅承继发光二极管的特性,同时可将使用微型发光二极管的像素结构的体积缩小至使用发光二极管的像素结构的体积的1%。
然而,微型发光二极管的电极垫会遮挡住微型发光二极管所激发出来的光线,导致微型发光二极管光取出效率降低的问题,严重地影响显示面板的品质。因此,目前亟需一种能增加微型发光二极管光取出效率的方法。
发明内容
本发明提供一种像素阵列基板,能解决微型发光二极管光取出效率降低的问题或调整出光角度。
本发明提供一种像素阵列基板的驱动方法,能解决微型发光二极管光取出效率降低的问题或调整出光角度。
本发明的一种像素阵列基板,包括基板、位于基板上的至少一像素结构以及液晶层。至少一像素结构包括微型发光二极管、设置于基板上的支撑墙、设置于基板上且位于支撑墙与微型发光二极管之间的第一底电极以及设置于支撑墙上且与第一底电极分离的第一顶电极。微型发光二极管包括第一电极、电性连接第一电极的第一半导体层、至少部分与第一半导体层重叠的第二半导体层、位于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层以及电性连接第二半导体层的第二电极。液晶层设置于第一底电极上且位于支撑墙与微型发光二极管之间。
本发明的一种像素阵列基板的驱动方法,包括先提供像素阵列基板,其中像素阵列基板包括基板、位于基板上的至少一像素结构以及液晶层。至少一像素结构包括微型发光二极管、设置于基板上的第一底电极、位于微型发光二极管的至少两侧的支撑墙以及设置于支撑墙上且与第一底电极分离的第一顶电极。微型发光二极管包括第一电极、电性连接第一电极的第一半导体层、至少部分与第一半导体层重叠的第二半导体层、位于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层以及电性连接第二半导体层的第二电极。液晶层设置于第一底电极上且位于支撑墙与微型发光二极管之间。再来,对第一电极施加第一电压、对第一底电极施加第二电压、对第二电极施加第三电压以及对第一顶电极施加第四电压,其中第一电压不同于第三电压且第二电压不同于第四电压。
基于上述,本发明的像素阵列基板及其驱动方法可以改善像素结构光取出效率降低的问题,或调整出光角度,并可进一步提升显示面板的显示品质。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。
图2是根据图1的剖线A-A’示出的像素阵列基板的剖面示意图。
图3是依照本发明另一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。
图4是根据图3的剖线B-B’示出的像素阵列基板的剖面示意图。
图5是依照本发明另一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。
图6是依照本发明另一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的