[发明专利]像素阵列基板及其驱动方法有效
申请号: | 201810819972.1 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN108922899B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 俞方正;陈振彰;曹梓毅;刘品妙;蔡正晔 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09G3/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 驱动 方法 | ||
1.一种像素阵列基板,包括:
一基板;
至少一像素结构,位于该基板上,该至少一像素结构包括:
一微型发光二极管,包括:
一第一电极;
一第一半导体层,电性连接该第一电极;
一第二半导体层,至少部分与该第一半导体层重叠;
一发光层,位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间;以及
一第二电极,电性连接该第二半导体层;
一支撑墙,设置于该基板上;
一第一底电极,设置于该基板上,且位于该支撑墙与该微型发光二极管之间;以及
一第一顶电极,设置于该支撑墙上,且与该第一底电极分离;以及
一液晶层,设置于该第一底电极上,且位于该支撑墙与该微型发光二极管之间。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该第一底电极与该第一电极电性连接。
3.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该支撑墙内部具有面向该微型发光二极管的一第一侧,与位于该第一侧对面的一第二侧,该第一侧与该基板之间的夹角为α1,该第二侧与该基板之间的夹角为α2,α1大于α2。
4.如权利要求1所述的像素阵列基板,还包括:
一第一信号线,与该第一顶电极电性连接。
5.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该液晶层的材料为蓝相液晶。
6.如权利要求2所述的像素阵列基板,还包括:
一第二底电极,设置于该基板上,且与该第二电极电性连接。
7.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该支撑墙与该第一顶电极环绕于该微型发光二极管的四侧。
8.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该支撑墙的高度为该微型发光二极管的高度的两倍以上。
9.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该支撑墙的高度为H,该第一顶电极与该基板之间的距离大于2/3H。
10.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该发光层的宽度为W,该发光层于该基板的垂直投影形成一图形,该图形的一侧边与该第一顶电极于该基板的垂直投影之间具有一最短距离,该最短距离大于W且小于5倍的W。
11.如权利要求1所述的像素阵列基板,还包括:
一第二顶电极,设置于该支撑墙上,且与该第一顶电极互相分离;以及
一第二信号线,与该第二顶电极电性连接。
12.如权利要求11所述的像素阵列基板,包括两个相邻的像素结构,该两个相邻的像素结构的支撑墙彼此分离,且其中一个像素结构的第一顶电极相邻于另一个像素结构的第二顶电极。
13.如权利要求12所述的像素阵列基板,还包括:
一遮光图案,位于该两个相邻的像素结构之间。
14.如权利要求13所述的像素阵列基板,其中该遮光图案于该基板的垂直投影位于该其中一个像素结构的该第一顶电极于该基板的垂直投影以及该另一个像素结构的该第二顶电极于该基板的垂直投影之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的