[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括：外延层；过渡层，该过渡层连接到该外延层；以及旁路部件，该旁路部件连接到该过渡层；其中，该单极性部件和该旁路部件并联，并且该过渡层配置在该单极性部件与该旁路部件之间。

技术领域

本发明实施例总体上涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。

背景技术

为了提供具有高可靠性并能够减少导通电阻的增加的半导体器件，单极性化合物半导体元件(unipolar compound semiconductor element)被配置为与旁路(或者称为旁通)半导体元件(bypass semiconductor element)并联。

图1是现有技术中的单极性化合物半导体元件101和旁路半导体元件102的示意图。如图1所示，单极性化合物半导体元件101通过外部线路L连接到旁路半导体元件102。

参考文献1：US2013/0069082A1.

本节的内容引入了多个方面，这些方面是为了对本发明实施例更好的理解。因此，应在此方面阅读本节的陈述，且不应该理解为是对哪些是现有技术或哪些不是现有技术的认可。

发明内容

然而，发明人发现，单极性化合物半导体元件101和旁路半导体元件102被单独配置并且通过外部线路连接，这样就使得组合面积(或组装面积或集成面积)变大，而且还存在产生热量的问题。

为了至少解决上述这些问题中的一部分，本发明实施例提供方法、装置和器件。结合附图阅读下面对具体实施例的描述，应该能够理解本发明实施例的特征和优点，这些具体实施例通过实例描述了本发明实施例的原理。

总体上来讲，本发明实施例提供了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。期望减小组合区域并同时减少热量的产生。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种半导体器件，包括：单极性部件，该单极性部件至少包括外延层；过渡层，该过渡层连接到该外延层；以及旁路部件，该旁路部件连接到该过渡层；该单极性部件和该旁路部件并联，并且该过渡层配置在该单极性部件与该旁路部件之间。

在一个实施例中，该半导体器件还包括：基板，该外延层配置在该基板上。

在一个实施例中，该旁路部件为垂直类型的元件。

在一个实施例中，该半导体器件还包括：第一电极，该第一电极配置在该单极性部件和该旁路部件的第一面上；以及第二电极，该第二电极配置在该单极性部件和该旁路部件的第二面上；该单极性部件的源极通过该第一电极连接到该旁路部件的阳极，并且该单极性部件的漏极通过该第二电极连接到该旁路部件的阴极。

在一个实施例中，该旁路部件为水平类型的元件。

在一个实施例中，该半导体器件还包括：第一电极，该第一电极配置在该单极性部件和该旁路部件的第一面上；第二电极，该第二电极配置在该旁路部件的第一面上；以及第三电极，该第三电极配置在该单极性部件和该旁路部件的第二面上；该单极性部件的源极通过该第一电极连接到该旁路部件的阳极，并且该单极性部件的漏极通过该第二电极和第三电极连接到该旁路部件的阴极。

在一个实施例中，至少一个旁路部件配置在该单极性部件的至少一个侧面周围。

在一个实施例中，该旁路部件包括硅材料，并且该过渡层包括碳化硅材料。

在一个实施例中，在该单极性部件一侧所述过渡层中的碳化物的浓度高于在该旁路部件一侧所述过渡层中的碳化物的浓度。

在一个实施例中，该旁路部件包括氮化镓(GaN)材料，并且该过渡层包括铟铝镓氮化物(InAlGaN)材料。