[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810816627.2 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110707076B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 鹿内洋志;鹫谷哲;田中雄季;韦宁 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
单极性部件，所述单极性部件至少包括外延层；
过渡层，所述过渡层连接到所述外延层；以及
旁路部件，所述旁路部件连接到所述过渡层；
其中，所述单极性部件和所述旁路部件并联，并且所述过渡层配置在所述单极性部件与所述旁路部件之间，
其中，所述旁路部件包括硅材料，并且所述过渡层包括碳化硅材料；
在所述单极性部件一侧所述过渡层中的碳化物的浓度高于在所述旁路部件一侧所述过渡层中的碳化物的浓度，
或者，
所述旁路部件包括氮化镓材料，并且所述过渡层包括铟铝镓氮化物材料；
在所述单极性部件一侧所述过渡层中的镓的浓度低于在所述旁路部件一侧所述过渡层中的镓的浓度。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：
基板，所述外延层配置在所述基板上。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述旁路部件为垂直类型的元件；所述半导体器件还包括：
第一电极，所述第一电极配置在所述单极性部件和所述旁路部件的第一面上；以及
第二电极，所述第二电极配置在所述单极性部件和所述旁路部件的第二面上；
其中，所述单极性部件的源极通过所述第一电极连接到所述旁路部件的阳极，并且所述单极性部件的漏极通过所述第二电极连接到所述旁路部件的阴极。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述旁路部件为水平类型的元件；所述半导体器件还包括：
第一电极，所述第一电极配置在所述单极性部件和所述旁路部件的第一面上；
第二电极，所述第二电极配置在所述旁路部件的第一面上；以及
第三电极，所述第三电极配置在所述单极性部件和所述旁路部件的第二面上；
其中，所述单极性部件的源极通过所述第一电极连接到所述旁路部件的阳极，并且所述单极性部件的漏极通过所述第二电极和第三电极连接到所述旁路部件的阴极。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，至少一个所述旁路部件配置在所述单极性部件的至少一个侧面周围。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述过渡层包括多层结构。
7.一种形成半导体器件的方法，包括：
提供单极性部件，所述单极性部件至少包括外延层；
提供过渡层，所述过渡层连接到所述外延层；以及
提供旁路部件，所述旁路部件连接到所述过渡层；
其中，所述单极性部件和所述旁路部件并联，并且所述过渡层配置在所述单极性部件与所述旁路部件之间，
其中，所述旁路部件包括硅材料，并且所述过渡层包括碳化硅材料；
在所述单极性部件一侧所述过渡层中的碳化物的浓度高于在所述旁路部件一侧所述过渡层中的碳化物的浓度，
或者，
所述旁路部件包括氮化镓材料，并且所述过渡层包括铟铝镓氮化物材料；
在所述单极性部件一侧所述过渡层中的镓的浓度低于在所述旁路部件一侧所述过渡层中的镓的浓度。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述方法还包括：
提供基板，所述外延层配置在所述基板上。
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