[发明专利]阵列基板、液晶面板和阵列基板制作方法

说明书

本申请涉及液晶面板领域的阵列基板，阵列基板上的每一个像素单元中均包括存储电容区，所述存储电容区内包括沿第一方向层叠设置且相互绝缘的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，其中所述第一金属层与所述第三金属层通过沿所述第一方向延伸的第一过孔连通，所述第二金属层与所述第四金属层通过沿所述第一方向延伸的第二过孔连通，所述第一金属层为遮光材料制成，所述第四金属层为透光材料制成。本申请利用四层金属来形成像素单元内的存储电容，在单位面积内增大了存储电容，有利于减少像素单元面积，制备高PPI的显示面板。本申请还涉及上述阵列基板形成的液晶面板，以及所述阵列基板的制作方法。

技术领域

本申请涉及液晶面板领域，尤其涉及一种阵列基板，以及包含此阵列基板的液晶面板和移动终端。

背景技术

AMOLED显示技术，具有色域广、自发光、轻薄、响应速度快等优势，高PPI显示面板，画面会更加细腻和真实。降低单个显示像素的面积，对于获得高PPI的显示面板(尤其是Bottom Emission的COA显示方案)具有十分巨大的意义。

在AMOLED像素驱动电路中，通常会使用1至2个电容，作为显示数据信号的存储电容。具体的，在当前的工艺中，多使用阵列基板的M1、M2构成的平板电容，或者M0、M1和M2构成的“三明治”结构电容作为存储电容。存储电容的大小直接决定了像素单元对信号的存储能力，并且在整个像素驱动电路中，存储电容的面积占相当大的比例；在保证存储电容大小不变的前提下，降低存储电容的面积，有利于减少像素面积，制备高PPI的显示面板。

另一方面，在AMOLED中，通常使用高功函数的ITO层作为阳极，ITO是一种电阻率低的透明导电材料，可以作为电容的电极。

发明内容

本申请提出一种由ITO、M2、M1和M0(Light Sheild层)构成的三层电容结构，有利进一步降低存储电容面积，减小像素区域面积，制备高PPI的显示面板。具体包括如下技术方案：

一种阵列基板，其每一个像素单元中均包括存储电容区，所述存储电容区内包括沿第一方向层叠设置且相互绝缘的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，所述第一金属层位于所述像素单元的基板与所述第二金属层之间，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层中任意两者在所述第一方向上的投影均包含重叠区域，所述第一金属层为遮光材料制成，所述第四金属层为透光材料制成，所述第一金属层与所述第三金属层通过沿所述第一方向延伸的第一过孔连通，所述第二金属层与所述第四金属层通过沿所述第一方向延伸的第二过孔连通，所述第一过孔与所述第二金属层绝缘，所述第二过孔与所述第三金属层绝缘。

其中，所述像素单元还包括TFT区，在所述TFT区内也包括沿所述第一方向重叠设置且相互绝缘的遮光层、栅极、源/漏极和公共电极，其中所述遮光层与所述第一金属层设置于同一层上，所述栅极与所述第二金属层设置于同一层上，所述源/漏极与所述第三金属层设置于同一层上，所述公共电极与所述第四金属层设置于同一层上。

其中，所述第一金属层和所述第二金属层之间设有介电层，所述第二金属层和所述第三金属层之间设有绝缘层，所述第三金属层和所述第四金属层之间设有平坦层，所述第一过孔同时穿过所述绝缘层和所述介电层，所述第二过孔同时穿过所述平坦层和所述绝缘层。

其中，所述第一过孔内的材料与所述第三金属层的材料相同。

其中，所述第二过孔内的材料与所述第四金属层的材料相同。

其中，在所述第一金属层与所述基板之间设有缓冲层。

其中，所述第四金属层远离所述第三金属层的一侧还设有像素定义层和光阻隔垫，所述像素定义层位于所述第四金属层与所述光阻隔垫之间。

本申请还涉及一种液晶面板，包括彩膜基板和上述阵列基板，以及填充于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶分子。