[发明专利]阵列基板、液晶面板和阵列基板制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的每一个像素单元中均包括存储电容区，所述存储电容区内包括沿第一方向层叠设置且相互绝缘的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，所述第一金属层位于所述像素单元的基板与所述第二金属层之间，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层中任意两者在所述第一方向上的投影均包含重叠区域，所述第一金属层为遮光材料制成，所述第四金属层为透光材料制成，所述第一金属层与所述第三金属层通过沿所述第一方向延伸的第一过孔连通，所述第二金属层与所述第四金属层通过沿所述第一方向延伸的第二过孔连通，所述第一过孔与所述第二金属层绝缘，所述第二过孔与所述第三金属层绝缘,所述像素单元还包括有TFT区，在所述TFT区内也包括沿所述第一方向重叠设置且相互绝缘的遮光层、栅极、源/漏极和公共电极，其中所述遮光层与所述第一金属层设置于同一层上，所述栅极与所述第二金属层设置于同一层上，所述源/漏极与所述第三金属层设置于同一层上，所述公共电极与所述第四金属层设置于同一层上，且所述公共电极与所述第四金属层连通。

2.如权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层之间设有介电层，所述第二金属层和所述第三金属层之间设有绝缘层，所述第三金属层和所述第四金属层之间设有平坦层，所述第一过孔同时穿过所述绝缘层和所述介电层，所述第二过孔同时穿过所述平坦层和所述绝缘层。

3.如权利要求2所述阵列基板，其特征在于，所述第一过孔内的材料与所述第三金属层的材料相同。

4.如权利要求3所述阵列基板，其特征在于，所述第二过孔内的材料与所述第四金属层的材料相同。

5.如权利要求1所述阵列基板，其特征在于，在所述第一金属层与所述基板之间设有缓冲层。

6.如权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述第四金属层远离所述第三金属层的一侧还设有像素定义层和光阻隔垫，所述像素定义层位于所述第四金属层与所述光阻隔垫之间。

7.一种液晶面板，其特征在于，包括彩膜基板和如权利要求1～6中任意一种所述阵列基板，以及填充于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶分子。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的每一个像素单元中均包括TFT区和存储电容区，所述阵列基板的制作方法包括：

在基板上依次制作第一金属层、介电层、第二金属层和绝缘层，其中所述第一金属层和所述第二金属层在所述TFT区内分别形成遮光层、栅极；

在所述存储电容区内对所述介电层和所述绝缘层同时进行图案化以形成第一过孔；

在所述第一过孔内填充导电材料,在所述绝缘层上依次制备第三金属层和平坦层，其中所述第三金属层在所述TFT区内形成源/漏极；

在所述存储电容区内对所述绝缘层和所述平坦层同时进行图案化以形成第二过孔；

在所述第二过孔内填充导电材料,在所述平坦层上制备第四金属层，所述第四金属层在所述TFT区内形成公共电极，并与所述存储电容区的所述第四金属层连通。

9.如权利要求8所述阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一过孔内填充的导电材料与制备所述第三金属层的材料相同，所述第二过孔内填充的导电材料与制备所述第四金属层的材料相同。