[发明专利]半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺

说明书

本发明提供了一种半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，涉及半导体用超高纯钛溅射靶的技术领域，包括对靶材端面滚花；对靶材侧面滚花；对靶材端面和侧面的连接处R角滚花。本发明的目的在于提供一种半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，制作专用的滚花刀头及刀柄，将靶材装夹在车床上，通过加工设备的运转及刀具对靶材的下压力，在靶材要求区域实现滚花纹，从而达到增加靶材表面附着力，防止靶材在溅射过程中堆积的多余离子脱落，导致损坏晶圆。

技术领域

本发明涉及半导体用超高纯钛溅射靶技术领域，尤其是涉及一种半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺。

背景技术

靶材在溅射过程中，Blank边缘及侧面会产生原子反溅射，现有的靶材接受离子附着表面粗糙度无法满足使用要求，堆积的离子易脱落。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，制作专用的滚花刀头及刀柄，将靶材装夹在车床上，通过加工设备的运转及刀具对靶材的下压力，在靶材要求区域实现滚花纹，从而达到增加靶材表面附着力，防止靶材在溅射过程中堆积的多余离子脱落，导致损坏晶圆。

为实现上述目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供一种半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，包括：

对靶材端面滚花；

对所述靶材侧面滚花；

对所述靶材端面和侧面的连接处R角滚花。

进一步地，所述对靶材端面滚花包括：

对刀：在所述靶材上粘贴胶带，以防刀具划伤所述靶材表面；

走刀：所述滚花轮在所述靶材端面的滚花宽度为12.5mm-13.5mm；

滚花：车床转速22r/min，压降量范围为0.4mm-0.5mm；

滚花后花纹及滚花区域尺寸确认。

进一步地，所述对所述靶材侧面滚花包括：

将刀具角度调成与所述靶材侧面角度相符的角度，且滚花轮与所述靶材侧面平行；

对刀：在所述靶材上粘贴胶带，以防所述刀具划伤所述靶材表面；

走刀：所述滚花轮在所述靶材侧面的滚花宽度为2.5mm-3.5mm；

滚花：车床转速22r/min，压降量范围为0.4mm-0.5mm。

进一步地，所述将刀具角度调成与所述靶材侧面角度相符的角度包括：所述刀具的轴线与所述靶材侧面所呈角度为30°。

进一步地，所述对所述靶材端面和侧面的连接处R角滚花包括：

滚花轮按照刀具设定好的角度滚R角花纹。

进一步地，所述滚花轮按照刀具设定好的角度滚R角花纹中的角度为45°。

进一步地，所述滚花轮按照刀具设定好的角度滚R角花纹中的角度为70°。

进一步地，所述半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺还包括：

安装夹具，所述夹具上贴有胶带以防所述夹具划伤所述靶材；

安装滚花刀具，滚花轮表面与所述靶材侧面平行；

将所述靶材安装与所述夹具，确认所述靶材与所述夹具的贴平度，并确认所述靶材安装后的平面度。