[发明专利]半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺有效
| 申请号： | 201810809001.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN108994525B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;王学泽;董志清 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B23P9/02 | 分类号： | B23P9/02 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王术兰 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 高纯 溅射 端面 工艺 | ||
1.一种半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，其特征在于，包括：
对靶材端面滚花；
对所述靶材侧面滚花；
滚花轮按照刀具设定好的角度滚R角花纹，所述R角为所述靶材端面和侧面的连接处；
先设定滚R角花纹中的角度为45°滚一刀；
再设定滚R角花纹中的角度为70°滚一刀。
2.根据权利要求1所述的半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，其特征在于，所述对靶材端面滚花包括：
对刀：在所述靶材上粘贴胶带，以防刀具划伤所述靶材表面；
走刀：所述滚花轮在所述靶材端面的滚花宽度为12.5mm-13.5mm；
滚花：车床转速22r/min，压降量范围为0.4mm-0.5mm；
滚花后花纹及滚花区域尺寸确认。
3.根据权利要求1所述的半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，其特征在于，所述对所述靶材侧面滚花包括：
将刀具角度调成与所述靶材侧面角度相符的角度，且滚花轮与所述靶材侧面平行；
对刀：在所述靶材上粘贴胶带，以防所述刀具划伤所述靶材表面；
走刀：所述滚花轮在所述靶材侧面的滚花宽度为2.5mm-3.5mm；
滚花：车床转速22r/min，压降量范围为0.4mm-0.5mm。
4.根据权利要求3所述的半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，其特征在于，所述将刀具角度调成与所述靶材侧面角度相符的角度包括：所述刀具的轴线与所述靶材侧面所呈角度为30°。
5.根据权利要求1所述的半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，其特征在于，所述半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺还包括：
安装夹具，所述夹具上贴有胶带以防所述夹具划伤所述靶材；
安装滚花刀具，滚花轮表面与所述靶材侧面平行；
将所述靶材安装与所述夹具，确认所述靶材与所述夹具的贴平度，并确认所述靶材安装后的平面度。
6.根据权利要求1所述的半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，其特征在于，所述半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺还包括：
抛光、检测；
检查花纹尺寸是否合格；
检查花纹是否光滑、无毛刺；
检查R角衔接是否合格。
7.根据权利要求6所述的半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺，其特征在于，所述抛光使用600号砂纸抛光，且抛光转速280r/min。
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