[发明专利]晶片的加工方法和晶片的加工中使用的辅助器具

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，其将具备由分割预定线划分而在正面形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片分割成各个器件，该方法至少由下述工序构成：

辅助器具准备工序，准备具备第一开口部、支承部以及第二开口部的辅助器具，所述第一开口部用于收纳晶片，其与晶片的外形大致为相同形状，所述支承部形成在该第一开口部的底部，在避开与该器件区域接触的同时支承该外周剩余区域，所述第二开口部形成在该第一开口部的底部且在该支承部的内侧；

框架支承工序，以将晶片的背面粘贴至划片带并且利用具有收纳晶片的开口的框架收纳晶片的状态，将该晶片粘贴至划片带从而利用该框架进行支承；

卡盘工作台载置工序，将该辅助器具载置于具备吸引保持单元的卡盘工作台并且将该晶片的正面侧收纳在该辅助器具的第一开口部，使吸引力作用于该卡盘工作台；

改质层形成工序，将具有对于该晶片来说为透过性的波长的激光光线的聚光点隔着该划片带从该晶片的背面定位在内部而进行照射，沿着分割预定线形成改质层；以及

分割工序，对借助划片带而保持于框架的晶片赋予外力，沿着该分割预定线将晶片分割成各个器件。

2.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，对于在该辅助器具准备工序中准备的辅助器具，将该第一开口部的外周的正面加工成粗面而使该改质层形成工序中使用的激光光线发生散射。

3.如权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，对于在该辅助器具准备工序中准备的辅助器具，将该第二开口部的底部与该支承部的阶差设定为10μm～20μm。

4.如权利要求1～3中任一项所述的晶片的加工方法，其中，在该晶片的该器件区域所形成的器件为MEMS。

5.一种辅助器具，其对具备由分割预定线划分而在正面形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片进行支承，

该辅助器具具备第一开口部以及第二开口部，所述第一开口部用于收纳晶片，其与晶片的外形大致为相同形状，所述第二开口部形成在该第一开口部的底部，其具有支承部，该支承部在避开与该器件区域接触的同时支承外周剩余区域。

6.如权利要求5所述的辅助器具，其中，对于该辅助器具，将该第一开口部的外周的正面形成为粗面而使激光光线发生散射。

7.如权利要求5或6所述的辅助器具，其中，对于该辅助器具，将该第二开口部的底部与该支承部的阶差设定为10μm～20μm。