[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810800618.4 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109003901B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;曹子贵;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制栅 半导体器件 字线侧墙 暴露 侧壁 衬底 前端结构 保护层 刻蚀 字线 控制栅结构 化学物质 擦除 分列 失败 掩膜 制造 测试 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一前端结构，所述前端结构包括衬底，位于所述衬底上的字线，分列于所述字线两侧的介电层，位于所述衬底上且分列于所述字线两侧的控制栅，所述控制栅位于所述介电层上，位于所述控制栅上的字线侧墙，所述字线侧墙暴露出部分所述控制栅，其中，所述介电层为ONO叠层；
以所述字线侧墙为掩膜刻蚀所述控制栅；
刻蚀所述介电层，并保留所述介电层的一部分；以及
在刻蚀完所述ONO叠层中的氮化硅层后，在暴露出的所述控制栅的侧壁形成一保护层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用快速氧化的工艺形成所述保护层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述快速氧化的工艺参数包括：形成所述保护层所需的时间范围为10～15秒。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述快速氧化的工艺参数包括：形成的所述保护层的厚度范围为3～8埃。
5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述快速氧化的工艺参数包括：形成所述保护层的温度条件为800～900度。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层为氧化层。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述控制栅为高掺杂磷多晶硅。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述控制栅采用的刻蚀剂包括氢溴酸气体、氯气和四氟化碳气体。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述控制栅后产生副产物，所述副产物中包含氟、氯和氢溴酸。
10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在暴露出的所述控制栅的侧壁形成一保护层的步骤之后还包括：在所述字线的表面、所述字线侧墙的表面、所述保护层的表面以及保留的所述介电层的表面沉积一介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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