[发明专利]晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法有效
| 申请号: | 201810800604.2 | 申请日: | 2018-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN108899288B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 范世炜 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 标记 监控 方法 激光 机台 对准 位置 判定 | ||
本发明提供一种晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法,该监测方法包括:在晶圆标记的水平面内,以两个相交方向扫描晶圆标记获得相应方向的两组波形信号;量测同一晶圆标记在两组波形信号中的直径长度;判断两组波形信号中直径长度的绝对值的差值是否符合预定误差范围;当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值在预定误差范围时,判定晶圆标记的形状未出现异常;当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值不在预定误差范围时,判定晶圆标记的形状出现异常。本发明能够监控晶圆标记的形状及光路方位是否异常。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法。
背景技术
半导体制造技术领域中,一次工艺制程需要同时操作多片晶圆,即半导体工艺中每一道工艺对晶圆的处理都为批量处理。同一道工艺中的多片晶圆彼此相同,无法对它们进行区分。在实践中可以通过晶圆的摆放位置区分晶圆,但是当晶圆的摆放位置由于某种原因发生变化时,会导致不同晶圆的识别出现混乱。为了区分各个晶圆,现有技术中通常的做法为:利用激光轰击晶圆,在晶圆表面上形成晶圆标记。以用于在各片晶圆之间进行区分,通过不同的晶圆标记识别不同的晶圆。标准的晶圆标记,是在晶圆表面向下形成圆形形状的凹坑,并且凹坑的边缘会由于激光能量的作用在晶圆表面形成向上的凸起。晶圆标记的监控方法,主要是通过扫描晶圆标记的波形信号,量测晶圆标记对应波形信号的峰值和谷值,从而监控激光能量大小,但是无法确定晶圆标记的形状以及光路方位是否异常。在利用激光轰击在晶圆表面形成晶圆标记时,随着激光刻号机台的老化,机台硬件(主要是指激光二极管)的更换越来越频繁,行业内现有的测机项目已经不能检测晶圆标记的异常,这给操作者的日常维护工作增加了许多难度。另外,晶圆标记的形状及光路方位的异常也将导致激光刻号机台的稳定性变差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,克服以上不足,提供了一种晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法,以用于监控晶圆标记的形状及光路方位是否异常,以及判定激光刻号机台的对准位置是否出现偏差。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种晶圆标记的监控方法,包括以下步骤:
在晶圆标记的水平面内,以两个相交方向扫描晶圆标记获得相应方向的两组波形信号;
量测同一晶圆标记在两组波形信号的直径长度;
判断两组波形信号中直径长度的绝对值的差值是否符合预定误差范围;
当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值在预定误差范围时,判定晶圆标记的形状未出现异常;
当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值不在预定误差范围时,判定晶圆标记的形状出现异常。
进一步的,本发明提供的晶圆标记的监控方法,当晶圆标记的形状出现异常时,判定晶圆标记的光路方向存在异常。
进一步的,本发明提供的晶圆标记的监控方法,所述两个相交方向包括:相交的第一方向和第二方向。
进一步的,本发明提供的晶圆标记的监控方法,所述第一方向与所述第二方向为垂直相交或者非垂直相交。
进一步的,本发明提供的晶圆标记的监控方法,当所述第一方向与所述第二方向为垂直相交时,所述第一方向为水平方向,所述第二方向为垂直方向。
进一步的,本发明提供的晶圆标记的监控方法,当所述第一方向与所述第二方向为非垂直相交时,扫描晶圆标记的波形信号的步骤包括:在扫描之前将晶圆上形成的晶圆标记以圆点为中心划分为四个象限,扫描时,所述第一方向位于其中一对的两个象限区内,所述第二方向位于另外一对的两个象限区内。
进一步的,本发明提供的晶圆标记的监控方法,所述晶圆标记为圆形形状的凹坑,通过量测晶圆标记的波形信号的峰值和谷值,以监控激光能量大小。
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