[发明专利]晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法有效
| 申请号： | 201810800604.2 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN108899288B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 范世炜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 标记 监控 方法 激光 机台 对准 位置 判定 | ||
1.一种晶圆标记的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：
在晶圆标记的水平面内，以两个相交方向扫描晶圆标记获得相应方向的两组波形信号，所述波形信号包括两峰值一谷值的波形；
量测同一晶圆标记在两组波形信号中的两峰值中心之间的距离为直径长度；
判断两组波形信号中直径长度的绝对值的差值是否符合预定误差范围；
当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状未出现异常；
当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值不在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状出现异常。
2.如权利要求1所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，当晶圆标记的形状出现异常时，判定晶圆标记的光路方向存在异常。
3.如权利要求1所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，所述两个相交方向包括：相交的第一方向和第二方向。
4.如权利要求3所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向为垂直相交或者非垂直相交。
5.如权利要求4所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，当所述第一方向与所述第二方向为垂直相交时，所述第一方向为水平方向，所述第二方向为垂直方向。
6.如权利要求4所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，当所述第一方向与所述第二方向为非垂直相交时，扫描晶圆标记的波形信号的步骤包括：在扫描之前将晶圆上形成的晶圆标记以圆点为中心划分为四个象限，扫描时，所述第一方向位于其中一对的两个象限区内，所述第二方向位于另外一对的两个象限区内。
7.如权利要求1所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，所述晶圆标记为圆形形状的凹坑，通过量测晶圆标记的波形信号的峰值和谷值，以监控激光能量大小。
8.如权利要求1所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，所述预定误差范围为2微米。
9.如权利要求1所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，所述直径长度为30微米至70微米。
10.一种激光刻号机台的对准位置的判定方法，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的晶圆标记的监控方法，当晶圆标记的形状出现异常时，判定激光刻号机台的对准位置出现偏差。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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