[发明专利]一种光刻工艺热点的检查方法

说明书

本发明提供了一种光刻工艺热点的检查方法，通过光刻仿真软件系统对测试版图进行光刻工艺窗口仿真筛选出仿真后认定为所述光刻工艺窗口偏小的虚拟工艺热点并对筛选出的结构进行归类得到一虚拟热点图形库，根据所述虚拟热点图形库中各图形所在位置区域对通过所述测试版图进行光刻的实际硅片进行扫描并提取对应区域内的实际结构图形的轮廓，将所述轮廓与所述测试版图进行比对，参照所述测试版图，通过光刻仿真软件系统检查出实际光刻工艺热点。通过对测试版图进行仿真以及对虚拟工艺热点进行筛选和归类，大大缩小实际工艺热点的检查范围，除低了检查成本，提高了检查效率。

技术领域

本发明涉及集成电路制造工艺技术领域，特别涉及一种光刻工艺热点的检查方法。

背景技术

在集成电路制造工艺中，为将集成电路的图案顺利地转移到晶圆上，首先根据设计好的版图制作掩膜版，然后再通过光刻技术将该掩膜版上的图形转移到晶圆上。由于亚波长光刻技术中光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)的影响，在对高密度排列的掩膜版电路图形进行曝光并最终转移至晶圆上时，将产生较大的失真，例如直角转角圆形化(right-angled corner rounded)、直线末端紧缩(line end shortened)以及直线线宽增加/缩减(line width increase/decrease)等都是常见的光学邻近效应所导致的掩模版电路图形转移到晶圆上的缺陷。虽然可以使用各种分辨率增强技术(RET)，如光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)，相移掩膜(PSM)等提高光刻的精度，但由于设计不当或RET技术本身的限制等原因，最终晶圆上的电路仍可能会出现线夹断(Line Pinch)、线连接(Line Bridge)、接孔不良(Hole Overlap Missing)等缺陷，出现这些缺陷的图形结构称为光刻工艺热点，而出现这些缺陷的图形结构所在的区域称为光刻工艺热点区域，而光刻工艺热点区域可能会影响最终电路的性能甚至导致功能的失效。

为此，业界通常的做法是建立缺陷图形库，新设计掩膜板的版图时避免出现类似缺陷库中的结构。缺陷图形库通常通过在实际硅片上曝光测试版图，而后查找相应的光刻工艺热点来建立。而在实际的操作过程中，此方法具有扫描镜头昂贵、图形轮廓干扰项多及后续检查效率低下的缺点。光刻工艺热点的检查需要耗费巨大的人力与资金，故有必要降低检查的成本以及提高检查的效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻工艺热点的检查方法，以解决现有光刻工艺热点检查成本高效率低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光刻工艺热点的检查方法，所述方法包括：

利用光刻仿真软件系统对测试版图进行光刻工艺窗口仿真并筛选出仿真后认定为光刻工艺窗口偏小的虚拟工艺热点；

对筛选出的多个所述虚拟工艺热点做图形归类得到一虚拟热点图形库，将所述虚拟热点图形库中各图形所对应的区域位置信息输入到扫描机台；

所述扫描机台根据所述区域位置信息对已通过所述测试版图进行光刻工艺的实际硅片进行扫描拍照；

提取拍照所得照片中图形的轮廓并将所述轮廓与所述测试版图做叠对，参照所述测试版图，利用光刻仿真软件系统检查实际工艺热点。

可选地，在所述的光刻工艺热点的检查方法中，所述虚拟工艺热点的认定依据于所述光刻仿真软件系统仿真的精度以及所述测试版图的设计规则。

可选地，在所述的光刻工艺热点的检查方法中，通过对所述虚拟工艺热点做图形归类得到一虚拟热点图形库具体包括：

以筛选出的各所述虚拟工艺热点为中心，截取各所述虚拟工艺热点对应图形的正方形区域；

对多个所述正方形区域中的相同图形进行分类而后整合去除相同的图形得到所述热点图形库。