[发明专利]一种光刻工艺热点的检查方法有效
申请号: | 201810800585.3 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN108873604B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 朱忠华;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 工艺 热点 检查 方法 | ||
1.一种光刻工艺热点的检查方法,其特征在于,所述方法包括:
利用光刻仿真软件系统对测试版图进行光刻工艺窗口仿真并筛选出仿真后认定为光刻工艺窗口偏小的虚拟工艺热点;
对筛选出的多个所述虚拟工艺热点做图形归类得到一虚拟热点图形库,将所述虚拟热点图形库中各图形所对应的区域位置信息输入到扫描机台;
所述扫描机台根据所述区域位置信息对已通过所述测试版图进行光刻工艺的实际硅片进行扫描拍照;
提取拍照所得照片中图形的轮廓并将所述轮廓与所述测试版图做叠对,参照所述测试版图,利用光刻仿真软件系统检查实际工艺热点;
其中,利用光刻仿真软件系统对测试版图进行光刻工艺窗口仿真并筛选出仿真后认定为光刻工艺窗口偏小的虚拟工艺热点包括:
通过光刻仿真软件系统测量仿真得到的所述测试版图的线宽值,根据所述线宽值的大小来认定光刻工艺窗口是否偏小以认定是否为虚拟工艺热点;
通过对所述虚拟工艺热点做图形归类得到一虚拟热点图形库包括:
以筛选出的各所述虚拟工艺热点为中心,截取各所述虚拟工艺热点对应图形的正方形区域,所述正方形区域的边长为大于0且小于5μm;
对多个所述正方形区域中的相同图形进行分类而后整合去除相同的图形得到所述热点图形库。
2.如权利要求1所述的光刻工艺热点的检查方法,其特征在于,所述虚拟工艺热点的认定依据于所述光刻仿真软件系统仿真的精度以及所述测试版图的设计规则。
3.如权利要求1所述的光刻工艺热点的检查方法,其特征在于,所述扫描机台视场尺寸大于5μm*5μm且套准精度的偏差小于1μm。
4.如权利要求1所述的光刻工艺热点的检查方法,其特征在于,所述扫描机台为扫描电子显微镜或电子束扫描机台。
5.如权利要求1所述的光刻工艺热点的检查方法,其特征在于,所述轮廓的提取方法包括:对所述照片进行格点化形成多个格点,再获取各所述格点的灰度值,所述灰度值在同一范围内的值所对应的格点即形成所述轮廓。
6.如权利要求1所述的光刻工艺热点的检查方法,其特征在于,各所述照片与所述测试版图的叠对均采用格点化的图形匹配方式并根据一定的相似度来判定是否为匹配。
7.如权利要求6所述的光刻工艺热点的检查方法,其特征在于,所述相似度的值介于70%~100%之间。
8.如权利要求1所述的光刻工艺热点的检查方法,其特征在于,所述虚拟工艺热点的认定以及实际工艺热点的检查通过所述光刻仿真软件系统测量线宽来实现。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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