[发明专利]动态随机存取存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器DRAM，包括：

一存储器阵列；

一温度感测器，经配置以感测该动态随机存取存储器的一温度；以及

一控制元件，经配置以基于该存储器阵列的一保留存储数据的保留能力调整一感测频率以得到一调整感测频率，且根据该调整感测频率启动该温度感测器。

2.如权利要求1所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以基于该温度调整该感测频率。

3.如权利要求2所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以基于一第一事件将该感测频率调整为一第一感测频率，其中在该第一事件中，该温度到达一临界温度。

4.如权利要求3所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以基于一第二事件将该感测频率调整为大于该第一感测频率的一第二感测频率，其中在该第二事件中，该温度不满足该临界温度。

5.如权利要求1所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以基于该存储器阵列的一自更新操作的一更新率来调整该感测频率。

6.如权利要求5所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以基于一事件将该感测频率调整为一第一感测频率，其中在该事件中，该更新率到达一临界更新率。

7.如权利要求6所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以基于另一事件将该感测频率调整为大于该第一感测频率的一第二感测频率，其中在该另一事件中，该更新率未到达一临界更新率。

8.如权利要求1所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以，基于该温度及该存储器阵列的一自更新操作的一更新率之两者来调整该感测频率。

9.如权利要求8所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以，基于该温度以一粗调方式调整该感测频率，以及基于该更新率以一微调方式调整该感测频率。

10.如权利要求1所述的DRAM，还包括：

一开关，可由该控制元件控制；

其中该控制元件经配置以，通过根据该调整感测频率改变该开关的一导通状态的方式，以启动该温度感测器。

11.一种动态随机存取存储器DRAM，包括：

一存储器阵列；

一温度感测器，经配置以感测该动态随机存取存储器的一温度；以及

一控制元件，经配置基于该温度及该存储器阵列的一自更新操作的一更新率之两者来调整一感测频率以得到一调整感测频率，且根据该调整感测频率来启动该温度感测器；

其中该调整感测频率包括一第一感测频率，该第一感测频率基于一第一事件，在该第一事件中，该温度到达一临界温度且该更新率到达一第一临界更新率。

12.如权利要求11所述的DRAM，其中该调整感测频率包括大于该第一感测频率的一第二感测频率，该第二感测频率基于一第二事件，在该第二事件中，该温度到达该临界温度且该更新率未到达该第一临界更新率。

13.如权利要求12所述的DRAM，其中该调整感测频率包括大于该第二感测频率的一第三感测频率，该第三感测频率基于一第三事件，在该第三事件中，该温度未到达该临界温度且该更新率到达一第二临界更新率，其中该第二临界更新率小于该第一临界更新率。

14.如权利要求13所述的DRAM，其中该调整感测频率包括大于该第三感测频率的一第四感测频率，该第四感测频率基于一第四事件，在该第四事件中，该温度未到达该临界温度且该更新率未到达该第二临界更新率。