[发明专利]一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)选用单晶硅片作为衬底，并进行镀膜前预处理；

2)在预处理后的单晶硅衬底上，采用Ar气或氮气作为溅射气氛，在对衬底施加电压的条件下，采用射频对铬靶进行磁控溅射，在硅衬底上磁控溅射沉积一层厚度为100～2000nm的铬膜；

3)Ar气或氮气作为溅射气氛，对沉积有铬膜的单晶硅衬底表面，在施加电压的条件下，采用射频或直流电源分别对银靶和钽靶进行磁控共溅射，通过控制电流强度分别调控银、钽元素沉积速率，在沉积有铬膜的硅衬底上形成银钽复合材料有序多孔阵列；

4)镀膜完成后，原位进行X射线光电子能谱检测；

5)进行微观结构和性能检测；

所述步骤3)中，控制银靶和钽靶施加电压为60V，沉积时间15～60min；

控制银靶电流强度为1～5A时，银元素沉积速率为10～30nm/min；控制钽靶电流强度为0.2～1.8A时，钽元素沉积速率为1～5nm/min。

2.根据权利要求1所述的一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列的制备方法，其特征在于，所述单晶硅片衬底选自Si(100)或Si(111)。

3.根据权利要求1所述的一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列的制备方法，其特征在于，单晶硅片衬底用SiO₂片或石英玻璃替代。

4.根据权利要求1所述的一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，单晶硅片衬底预处理为依次经过去离子水、丙酮、无水乙醇各超声清洗10-20min。

5.根据权利要求1所述的一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，铬靶纯度为99.99％；本底真空度小于等于4×10^-4 Pa。

6.根据权利要求1所述的一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，对单晶硅衬底施加60V的电压，射频频率控制在250kHz。

7.根据权利要求1所述的一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，银靶和钽靶纯度均为99.99％；本底真空度小于等于4×10^-4 Pa。

8.根据权利要求1所述的一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列的制备方法，其特征在于，由银、钽元素构成分布均匀的多孔阵列，孔直径为50-300nm，孔深度为50-400nm。

9.一种权利要求1-8任一项所述方法制备的银钽复合材料构建的有序多孔阵列，其特征在于，包括下述质量比的元素：

银元素 10～90％；

钽元素 2～70％；

铬元素 2～20％。

10.一种权利要求9所述银钽复合材料构建的有序多孔阵列用于有机分子的表面增强拉曼散射应用。