[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容小的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，在腔室主体内设置有静电卡盘和下部电极。下部电极经由导体管而与高频电源电连接。在静电卡盘内设置有多个加热器。多个加热器经由多个供电线而与加热器控制器电连接。在多个供电线上分别设置有多个滤波器。多个供电线分别包括从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线。多个配线穿过导体管的内孔而延伸。

技术领域

本公开的实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在半导体器件之类的电子元件的制造中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室主体、载置台以及高频电源。腔室主体提供其内部空间来作为腔室。载置台设置在腔室内，构成为对被载置在该载置台上的被加工物进行保持。载置台包括下部电极和静电卡盘。下部电极与高频电源连接。

在等离子体处理装置中执行的等离子体处理中，需要调整被加工物的面内的温度分布。为了调整被加工物的面内的温度分布，在载置台设置多个加热器。多个加热器各自经由多个供电线而与加热器控制器连接。

从高频电源向载置台的下部电极供给高频。被供给到下部电极的高频会流入多个供电线。因而，在多个供电线上分别设置将高频切断或使高频衰减的多个滤波器。如专利文献1所记载的那样，多个滤波器配置于腔室主体的外侧。因而，多个供电线分别包括从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线。

专利文献1：日本特开2014-99585号公报

发明内容

发明要解决的问题

从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线分别相对于地电位产生寄生电容。其结果是，多个供电线上的滤波器的针对高频的阻抗下降。多个供电线上的滤波器的阻抗的下降带来高频的损失。由于高频的损失，对等离子体处理产生影响。例如，由于高频的损失，产生蚀刻率的下降。因而，需要减小从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容。

用于解决问题的方案

在一个方式中，提供等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室主体、载置台、高频电源、导体管、多个供电线以及多个滤波器。腔室主体提供其内部空间来作为腔室。载置台构成为在腔室内支承被加工物。载置台具有下部电极和静电卡盘。静电卡盘设置在下部电极上。静电卡盘具有设置于其内部的多个加热器以及与多个加热器电连接的多个端子。高频电源配置于腔室主体的外侧，构成为产生向下部电极供给的高频。导体管将高频电源与下部电极电连接。导体管从下部电极侧延伸到腔室主体的外侧。多个供电线设置为将来自加热器控制器的电力向多个加热器供给。多个滤波器各自的第一部分构成多个供电线。多个滤波器构成为，防止高频从多个加热器向加热器控制器流入。多个滤波器设置于腔室主体的外侧。多个供电线包括将静电卡盘的多个端子与多个滤波器分别连接的多个配线。多个配线穿过导体管的内孔而延伸到腔室主体的外侧。

在等离子体处理装置的动作期间，经由导体管从高频电源向下部电极供给高频。因而，在等离子体处理装置的动作期间，导体管的内孔从地电位断开。在一个方式所涉及的等离子体处理装置中，将多个加热器与多个滤波器分别电连接的多个配线穿过导体管的内孔而延伸到腔室主体的外侧。因而，能在导体管的内孔中确保从多个配线的各个配线到地电位的空间距离。因而，多个配线各自的寄生电容变小。