[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201810794660.X | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN109285755B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 奥西直彦;永岛望;高桥智之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,具备:
腔室主体,其提供腔室;
载置台,其构成为在所述腔室内支承被加工物,所述载置台具有下部电极和设置在所述下部电极上的静电卡盘,所述静电卡盘具有设置于其内部的多个加热器以及与该多个加热器电连接的多个端子;
高频电源,其配置于所述腔室主体的外侧,产生向所述下部电极供给的高频;
导体管,其将所述高频电源与所述下部电极电连接,从所述下部电极侧延伸到所述腔室主体的外侧;
多个供电线,所述多个供电线设置为将来自加热器控制器的电力向所述多个加热器供给;以及
多个滤波器,所述多个滤波器各自的一部分构成所述多个供电线,并且构成为防止高频从所述多个加热器向所述加热器控制器流入,所述多个滤波器设置于所述腔室主体的外侧,
其中,所述多个供电线包括将所述多个端子与所述多个滤波器分别连接的多个配线,
所述多个配线穿过同一所述导体管的内孔而延伸到所述腔室主体的外侧。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述载置台还具有设置于所述下部电极的下方的导电构件,
所述导电构件与所述下部电极电连接,并且在该下部电极的下方提供由该下部电极和该导电构件围成的区域,
所述导体管的一端与所述导电构件连接,
所述多个配线穿过所述区域和所述导体管的所述内孔而延伸到所述腔室主体的外侧。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述导体管共享所述静电卡盘、所述下部电极以及所述导电构件的共同的中心轴线,
所述多个端子设置于所述静电卡盘的周缘部,并且所述多个端子的与所述中心轴线之间的距离相同,
所述多个配线分别从与所述多个端子中的对应的端子连接的一端起穿过形成于所述下部电极的孔而向下方延伸,以接近所述中心轴线的方式延伸并穿过所述导体管的所述内孔而延伸到所述腔室主体的外侧。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述等离子体处理装置还具备用于阻抗匹配的匹配器,该匹配器设置于所述导体管与所述高频电源之间,
所述匹配器设置于所述导体管的侧方。
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