[发明专利]被处理体的处理装置和处理装置的检查方法

说明书

本发明检测制冷剂的泄漏。本发明一技术方案的处理装置包括：用于提供腔室的腔室主体；载置台，其支承载置于该载置台上的被处理体，在该载置台内部形成有制冷剂用的第一流路和与该第一流路连通的空间；第一配管，其具有第一端部和第二端部，第一端部被插入空间与第一流路连接，第二端部与制冷剂供给机构连接；和第一密封部件，其设置于第一端部与规定空间之边界的壁面之间的间隙，将该间隙密封。载置台内形成有具有一端和另一端的第二流路，第二流路的该一端与间隙连接，第一密封部件在第二流路的第一流路一侧与壁面接触。该处理装置还包括与第二流路的另一端连接的第二配管和与第二配管连接的检测装置。

技术领域

本发明的实施方式涉及被处理体的处理装置和处理装置的检查方法。

背景技术

在半导体器件这样的电子器件的制造过程中，会对被处理体进行蚀刻、成膜等处理。在进行这样的处理时，有时需要以高响应性对被处理体的温度进行控制。作为以高响应性对被处理体的温度进行控制的技术，可利用直膨式冷却系统。在直膨式冷却系统中，使制冷剂在形成于载置台中的流路内气化，利用其气化热将支承在载置台上的被处理体冷却。

例如，专利文献1和专利文献2记载了设置有直膨式冷却系统的等离子体处理装置。这些等离子体处理装置包括腔室主体和载置台。载置台设置在腔室主体的内部。该载置台具有形成有流路的基座部。该流路经配管与压缩机和冷凝器连接。压缩机和冷凝器对从流路回收的制冷剂进行压缩和冷却而使之液化，再将液化的制冷剂供给到流路中。供给到流路中的制冷剂在流路内气化，在至少一部分成为气相的状态下返回压缩机和冷凝器。在专利文献1和2记载的等离子体处理装置中，通过使制冷剂如上所述地在流路内循环来冷却设置在载置台上的被处理体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-186856号公报

专利文献2：日本特开2012-28811号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

在上述的直膨式冷却系统中，为了防止制冷剂从流路与连接在该流路上的配管间的连接部漏出，通常在该连接部设置O形环等密封部件。Danshi，由于配管内部存在较高的压力，根据所使用的制冷剂的不同，即使在连接部设置了密封部件，有时也会因密封部件内外的压力差而导致配管中流动的制冷剂的一部分从密封部件渗出。若制冷剂从密封部件渗出导致制冷剂从连接部漏出，则流路中循环的制冷剂的量将会减少。流路中循环的制冷剂的量的减少会带来对被处理体的冷却能力的降低。

因而，本技术领域需要检测制冷剂泄漏的技术。

解决技术问题的技术方案

本发明之一技术方案提供被处理体的处理装置。该处理装置包括：用于提供腔室的腔室主体；载置台，其设置在腔室内，能够支承载置于该载置台上的被处理体，在该载置台内部形成有制冷剂用的第一流路和与该第一流路连通的空间；第一配管，其具有第一端部和第二端部，第一端部被插入空间与第一流路连接，第二端部与制冷剂供给机构连接；和第一密封部件，其设置于第一端部与规定空间之边界的壁面之间的间隙，将该间隙密封。载置台内形成有具有一端和另一端的第二流路，第二流路的该一端与间隙连接，第一密封部件在第二流路的第一流路一侧与壁面接触。该处理装置还包括与第二流路的另一端连接的第二配管；和检测装置，其与第二配管连接，对第二配管中流动的制冷剂的量进行检测。

在上述技术方案中，流通制冷剂的第一配管内存在较高的压力，所以制冷剂的一部分会进入载置台的壁面与第一配管之间的间隙。由于密封部件内外的压力差，在间隙中流动的制冷剂的一部分从密封部件渗出。从密封部件渗出的制冷剂经第二流路回收到第二配管。第二配管与检测装置连接，所以能够利用该检测装置检测从密封部件渗出的制冷剂，即漏出到载置台外部的制冷剂的量。