[发明专利]被处理体的处理装置和处理装置的检查方法

权利要求书

1.一种被处理体的处理装置，其特征在于，包括：

用于提供腔室的腔室主体；

载置台，其设置在所述腔室内，能够支承载置于该载置台上的所述被处理体，在该载置台内部形成有制冷剂用的第一流路和与该第一流路连通的空间；

第一配管，其具有第一端部和第二端部，所述第一端部被插入所述空间并与所述第一流路连接，所述第二端部与制冷剂供给机构连接；和

第一密封部件，其设置于所述第一端部与规定所述空间之边界的壁面之间的间隙中，将该间隙的靠所述第一流路一侧的部分密封，

所述载置台内形成有具有一端和另一端的第二流路，所述第二流路的该一端与所述间隙连接，

所述第一密封部件在所述第二流路的所述第一流路一侧与所述壁面接触，

所述处理装置还包括：

与所述第二流路的所述另一端连接的第二配管；和

检测装置，其与所述第二配管连接，对所述第二配管中流动的所述制冷剂的量进行检测。

2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：

在所述间隙中还设置有将该间隙的比所述第一密封部件更靠所述第二端部一侧的部分密封的第二密封部件，

所述第二流路的所述一端在所述第一密封部件与所述第二密封部件之间与所述间隙连接。

3.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于：

所述壁面具有阴螺纹部，相对于所述第一密封部件所接触的所述壁面内的部分，所述阴螺纹部形成在所述第一流路一侧，

在所述第一端部形成有阳螺纹部，所述阳螺纹部与所述阴螺纹部螺合。

4.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于：

在所述腔室主体的底壁上形成有贯通孔，所述第一配管的所述第二端部被插入该贯通孔，

所述第一配管由陶瓷形成。

5.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于：

所述制冷剂是氢氟碳化合物。

6.一种处理装置的检查方法，其检查权利要求1～5中任一项所述的处理装置，所述处理装置的检查方法的特征在于，包括：

根据利用所述检测装置检测到的所述制冷剂的量，获取漏出到所述载置台外部的所述制冷剂的量的测定值的步骤；和

判断所述测定值是否大于规定的阈值的步骤。

7.一种处理装置的检查方法，其检查权利要求1～5中任一项所述的处理装置，所述处理装置的检查方法的特征在于，包括：

第一步骤，基于由所述第一密封部件的材料和所述制冷剂的种类决定的渗透系数、所述第一密封部件的尺寸、所述间隙内的位于所述第一密封部件与所述第一流路之间的第一区域的压力与所述间隙内的相对于所述第一密封部件位于所述第一区域的相反侧的第二区域的压力之差，求取漏出到所述载置台外部的制冷剂的流量的推算值；

第二步骤，根据利用所述检测装置检测到的所述制冷剂的量，获取漏出到所述载置台外部的所述制冷剂的流量的测定值；和

第三步骤，判断所述测定值是否比所述推算值大规定值以上。