[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法。该TFT阵列基板通过溅射镀膜形成像素电极，并在形成所述像素电极之后采用带负离子的等离子气体处理钝化层表面，利用负离子中和钝化层表面积累的正离子，降低钝化层表面的正电荷量，使背沟区的感应电荷量下降，从而降低背沟区的漏电流，提升TFT阵列基板的电性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。

现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线透射出来产生画面。

由于LCD是一种电荷保持型的显示器，也就是说电荷充到像素的储存电容中，然后需要维持一帧的时间，储存电容储存的电荷可以控制像素的灰阶。但是为了使LCD的显示效果更亮，就会需要较大的像素开口率，那么会导致像素的储存电容需要做的很小，因此只能储存相对较少的电荷，则TFT背沟道的漏电流也需要做的很小才能使像素在一帧的时间内维持一定的灰阶信号。

针对漏电流的原理，有学者提出并实验证明了固定电荷(Fix charge)的机理，目前此机理已被广泛认可。即像素电极溅射镀膜(sputter)过程中TFT阵列基板处于正离子气氛中，钝化层表面会积累一定的正电荷，而钝化层可以视作平板电容，因此在背沟道处会诱导形成电荷量相同的电子，而背沟道处电荷积累会导致漏电流增加。

然而像素电极溅射镀膜过程是TFT制程中必要的步骤，无法省略，因此如何避免像素电极溅射镀膜过程对漏电流的影响成为降低漏电流的重要方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板，采用带负离子的等离子气体处理钝化层表面，降低背沟区的漏电流。

本发明的目的还在于提供一种TFT阵列基板的制作方法，采用带负离子的等离子气体处理钝化层表面，降低背沟区的漏电流。

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT阵列基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的钝化层以及设于所述钝化层上的像素电极；

所述像素电极通过溅射镀膜形成于所述钝化层上；

形成所述像素电极之后采用带负离子的等离子气体处理钝化层表面，利用负离子中和钝化层表面积累的正离子。

所述TFT层包括设于所述衬底基板上的栅极、覆盖所述栅极及衬底基板的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层以及所述有源层上并分别与所述有源层两端接触的源极和漏极；所述有源层包括位于源极与漏极之间的背沟道区。

所述正离子包括氩离子；所述负离子包括氯离子。

所述等离子气体为氯气或氯化氢。

采用带负离子的等离子气体处理钝化层表面之前，还对所述像素电极进行退火处理。

本发明还提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT层；