[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的钝化层(30)以及设于所述钝化层(30)上的像素电极(40)；

所述像素电极(40)通过溅射镀膜形成于所述钝化层(30)上；

形成所述像素电极(40)之后采用带负离子的等离子气体处理钝化层(30)表面，利用负离子中和钝化层(30)表面积累的正离子。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT层(20)包括设于所述衬底基板(10)上的栅极(21)、覆盖所述栅极(21)及衬底基板(10)的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上的有源层(23)以及所述有源层(23)上并分别与所述有源层(23)两端接触的源极(24)和漏极(25)；所述有源层(23)包括位于源极(24)与漏极(25)之间的背沟道区(231)。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述正离子包括氩离子；所述负离子包括氯离子。

4.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述等离子气体为氯气或氯化氢。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，采用带负离子的等离子气体处理钝化层(30)表面之前，还对所述像素电极(40)进行退火处理。

6.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成TFT层(20)；

步骤S2、在所述TFT层(20)上形成钝化层(30)，通过溅射镀膜在所述钝化层(30)上形成像素电极(40)；

步骤S3、采用带负离子的等离子气体处理钝化层(30)表面，利用负离子中和钝化层(30)表面积累的正离子。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1的具体步骤为：

步骤S11、在所述衬底基板(10)上形成第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理形成位于所述衬底基板(10)上的栅极(21)；

步骤S12、形成覆盖所述栅极(21)及衬底基板(10)的栅极绝缘层(22)，在所述栅极绝缘层(22)上依次形成氧化物半导体层及第二金属层，并对该氧化物半导体层及第二金属层进行图案化处理形成有源层(23)以及位于所述有源层(23)上并分别与所述有源层(23)两端接触的源极(24)和漏极(25)；所述有源层(23)包括位于源极(24)与漏极(25)之间的背沟道区(231)。

8.如权利要求6所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述正离子包括氩离子；所述负离子包括氯离子。

9.如权利要求8所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述等离子气体为氯气或氯化氢。

10.如权利要求6所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3采用带负离子的等离子气体处理钝化层(30)表面之前，还对所述像素电极(40)进行退火处理。