[发明专利]包括功率门控电路的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201810789829.2 申请日: 2018-07-18
公开(公告)号: CN109660246B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 金雄来 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/08
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;李少丹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 功率 门控 电路 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一逻辑电路;

第二逻辑电路;

第一功率门控电路,其被配置为基于第一门控信号而经由第一电源节点将第一电源电压提供给所述第一逻辑电路;

第二功率门控电路,其被配置为基于第二门控信号而经由第二电源节点将所述第一电源电压提供给所述第二逻辑电路;

第一开关电路,其被配置为基于第一开关控制信号而将所述第一电源节点与所述第二电源节点耦接;

特性监控电路,其被配置为监控所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路的特性并且产生特性信息;以及

功率门控控制电路,其被配置为基于所述特性信息来产生所述第一开关控制信号。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路的特性包括工艺变化和温度变化。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,当所述半导体装置处于待机模式时,所述功率门控电路禁止所述第一开关控制信号,而当所述半导体装置不处于所述待机模式时,所述功率门控电路基于监控所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路的特性的结果来选择性地使能所述第一开关控制信号。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述功率门控电路在所述半导体装置的上电时段中关断所述第一开关电路。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述特性监控电路包括:

脉冲发生器,其被配置为接收时钟信号并且产生电平信号和参考信号;

延迟线,包括多个延迟部分,所述多个延迟部分复制所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路中的至少一个,所述多个延迟部分依次将所述电平信号延迟;以及

特性信息发生器,其被配置为基于所述参考信号而从所述多个延迟部分的输出来产生所述特性信息。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,

其中,所述功率门控控制电路产生合成码,以复制在所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路中包括的多个信号路径;以及

其中,用于所述多个延迟部分的延迟量基于所述合成码而被改变。

7.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,所述特性信息发生器包括:

多个触发器,其分别与所述多个延迟部分之中的对应延迟部分的输出端子耦接,并且被配置为基于所述参考信号来接收所述对应延迟部分的输出;以及

编码器,其被配置为对所述多个触发器的输出信号进行编码并且产生所述特性信息。

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述功率门控控制电路包括:

寄存器,其被配置为接收和储存所述特性信息,并且基于特性信息选择信号来输出储存在其中的特性信息;

控制器,其被配置为将使能信号提供给所述特性监控电路,并将所述特性信息选择信号提供给所述寄存器;以及

控制信号发生器,其被配置为基于掉电信号和从所述寄存器输出的所述特性信息来产生所述第一开关控制信号。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,当所述半导体装置以第一频率操作时,所述寄存器将所述特性信息储存为快模式特性信息,而当所述半导体装置以低于所述第一频率的第二频率操作时,所述寄存器将所述特性信息储存为慢模式特性信息。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中,当所述半导体装置以所述第一频率操作时,所述控制器产生所述特性信息选择信号,使得所述快模式特性信息被输出,而当所述半导体装置以所述第二频率操作时,所述控制器产生所述特性信息选择信号,使得所述慢模式特性信息被输出。

11.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,所述使能信号通过在启动所述半导体装置时被使能以及通过在启动所述半导体装置之后被周期性地使能而激活所述特性监控电路。

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