[发明专利]半导体封装件和方法

说明书

在实施例中，器件包括：集成电路管芯；与集成电路管芯相邻的通孔；密封集成电路管芯和通孔的模塑料；以及再分布结构，包括：穿过第一介电层延伸的第一导电通孔，第一导电通孔电连接至集成电路管芯，第一介电层位于集成电路管芯、通孔和模塑料上方；以及位于第一介电层和第一导电通孔上方的第一导线，第一导电通孔延伸至第一导线内。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体封装件和方法。

背景技术

由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的连续减小，这允许更多的组件集成到给定的区域。随着对电子器件缩小的需求不断增长，对半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求也已经出现。这种封装系统的实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部以提供高集成度和组件密度。PoP技术一般能够在印刷电路板(PCB)上产生具有增强的功能和较小的覆盖区的半导体器件。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体封装件，包括：集成电路管芯；通孔，与所述集成电路管芯相邻；模塑料，密封所述集成电路管芯和所述通孔；以及再分布结构，包括：第一导电通孔，穿过第一介电层延伸，所述第一导电通孔电连接至所述集成电路管芯，所述第一介电层位于所述集成电路管芯、所述通孔和所述模塑料上方；以及第一导线，位于所述第一介电层和所述第一导电通孔上方，所述第一导电通孔延伸至所述第一导线内。

本发明的另一实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：用模塑料密封集成电路管芯，所述集成电路管芯具有管芯连接件；在所述集成电路管芯的所述管芯连接件上形成第一导电通孔；在所述集成电路管芯、所述模塑料和所述第一导电通孔上方沉积第一介电层，所述第一介电层沿着所述第一导电通孔的侧壁和顶面延伸，所述第一导电通孔的顶面位于所述第一介电层的主表面之上；去除所述第一介电层的位于所述第一导电通孔的侧壁和顶面上的部分，从而暴露所述第一导电通孔的部分；以及在所述第一介电层和所述第一导电通孔的暴露部分上形成第一导线。

本发明的又一实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：将集成电路管芯放置在第一介电层上，所述集成电路管芯具有管芯连接件；用模塑料密封所述集成电路管芯；在所述集成电路管芯的所述管芯连接件上形成第一导电通孔，所述第一导电通孔具有设置为离所述第一介电层层第一距离的最顶表面；在所述集成电路管芯、所述模塑料和所述第一导电通孔上沉积第二介电层，所述第二介电层具有设置为离所述第一介电层第二距离的主表面，所述第一距离大于所述第二距离；去除所述第一介电层的部分以暴露所述第一导电通孔的侧面和最顶表面；以及在所述第一导电通孔上形成第一导线，所述第一导线接触所述第一导电通孔的侧面和最顶表面。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图16示出了根据一些实施例的用于形成器件封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图17至图18示出了根据一些实施例的用于形成封装结构的工艺期间的中间步骤的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。