[发明专利]半导体封装件和方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

集成电路管芯；

通孔，与所述集成电路管芯相邻；

模塑料，密封所述集成电路管芯和所述通孔；以及

再分布结构，包括：

第一导电通孔，穿过第一介电层延伸，所述第一导电通孔的最顶表面在所述第一介电层的最顶表面之上延伸，所述第一导电通孔电连接至所述集成电路管芯，所述第一介电层位于所述集成电路管芯、所述通孔和所述模塑料上方；以及

第一导线，位于所述第一介电层和所述第一导电通孔上方，其中，所述第一导线具有彼此连接的第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述第一导电通孔上方，所述第一部分的最顶表面设置为比所述第二部分的最顶表面离所述第一介电层更远。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一导电通孔的最顶表面在所述第一介电层的最顶表面之上延伸的距离在0.1μm至0.3μm的范围之间。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第一导线包括：

晶种层，沿着所述第一介电层的最顶表面、所述第一导电通孔的侧面和所述第一导电通孔的最顶表面延伸；以及

导电材料，设置在所述晶种层上。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述晶种层包括钛层和位于所述钛层上的铜层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述再分布结构还包括：

第二导电通孔，穿过第二介电层延伸，所述第二导电通孔电连接至所述第一导线，所述第二介电层位于所述第一介电层和所述第一导线上方。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，还包括：

导电焊盘，位于所述第二介电层和所述第二导电通孔上方，所述第二导电通孔延伸至所述导电焊盘内；以及

导电连接件，位于所述导电焊盘上。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，还包括：

第一衬底，连接至所述导电连接件；以及

第二衬底，连接至所述通孔。

8.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第一导线的位于所述第一导电通孔上方的部分具有凸形形状。

9.一种形成半导体封装件的方法，包括：

用模塑料密封集成电路管芯，所述集成电路管芯具有管芯连接件；

在所述集成电路管芯的所述管芯连接件上形成第一导电通孔；

在所述集成电路管芯、所述模塑料和所述第一导电通孔上方沉积第一介电层，所述第一介电层沿着所述第一导电通孔的侧壁和顶面延伸，所述第一导电通孔的顶面位于所述第一介电层的主表面之上；

去除所述第一介电层的位于所述第一导电通孔的侧壁和顶面上的部分，从而暴露所述第一导电通孔的侧壁的部分和顶面；以及

在所述第一介电层和所述第一导电通孔上形成第一导线，所述第一导线接触所述第一导电通孔的所述侧壁的部分和所述顶面。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，去除所述第一介电层的部分包括：

对所述第一介电层实施平坦化工艺，在所述平坦化工艺之后，暴露所述第一导电通孔的所述侧壁的部分和所述顶面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述平坦化工艺以从2PSI至5PSI的向下压力实施，直至所述第一导电通孔的暴露部分在所述第一介电层的主表面之上延伸0.1μm至0.5μm的距离。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，去除所述第一介电层的部分包括：

对所述第一介电层和所述第一导电通孔实施平坦化工艺，所述第一介电层和所述第一导电通孔的所述顶面齐平；

对所述第一介电层实施蚀刻工艺，在蚀刻工艺之后，暴露所述第一导电通孔的所述侧壁的部分和所述顶面。