[发明专利]常温稳定存储的组合物及量子点发光二极管器件的制法在审
| 申请号: | 201810787832.0 | 申请日: | 2018-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN108987597A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
| 发明(设计)人: | 陈雨 | 申请(专利权)人: | 嘉兴纳鼎光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 叶蕙;王锋 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉兴市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子传输层 发光二极管器件 稳定分散液 量子点 存储 常温稳定 制作 絮凝剂 配体 退火 纳米粒子表面 絮凝剂添加 存储成本 第一电极 降低生产 纳米粒子 退火处理 制作过程 混合物 溶剂 制法 保证 | ||
本发明公开一种能够常温稳定存储的组合物,包括稳定分散液和絮凝剂,所述稳定分散液包括电子传输层纳米粒子、配体和溶剂,所述絮凝剂与稳定分散液混合使用。本发明还公开一种量子点发光二极管器件的制作方法,其中电子传输层的制作步骤包括:提供所述组合物;将所述絮凝剂添加于所述稳定分散液中,之后利用形成的混合物于第一电极上制作电子传输层,而后对所述电子传输层进行退火处理。相较于现有技术,本发明的组合物可以稳定的存储在室温中。在量子点发光二极管器件的制作过程中,随着退火时间的增加,电子传输层纳米粒子表面的配体脱落,由此在保证量子点发光二极管器件制作效果的同时还能降低生产过程中的存储成本。
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件技术领域,具体的涉及一种能够常温稳定存储的组合物及量子点发光二极管器件的制作方法。
背景技术
基于半导体量子点(QDs)发光的量子点发光二极管器件(QLEDs)具有发光效率高、色纯度高以及发光颜色简单可调等优点。近年来,对量子点材料及QLED器件的开发受到了越来越多的关注。与有机发光二极管器件相比较,QLED器件中的发光层由无机纳米粒子组成。在目前主流的QLED制作过程中,电子传输层采用的是无机的金属氧化物纳米材料,这种纳米粒子是一种直接带隙宽禁带纳米粒子,具有较高的电子迁移率。但电子传输层通常是没有配体的纳米粒子,因为有配体的纳米粒子运用在电子传输层中会使得电子传输受阻,降低QLED各项参数。但没有配体的纳米颗粒室温下放置会熟化,使得纳米粒子尺寸发生变化,会使得QLED器件效果变差,通常电子传输层纳米粒子的存储是采用低温存储,但低温存储,将会加大企业生产成本。
因此,如何降低电子传输层的存放成本,且轻松实现量产,降低生产成本,成为了亟待解决的问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种能够常温稳定存储的组合物及量子点发光二极管器件的制作方法,以克服现有技术中的不足。为实现前述发明目的,本发明采用的技术方案包括:
本发明实施例提供了一种能够常温稳定存储的组合物,包括稳定分散液和絮凝剂;
所述稳定分散液包括电子传输层纳米粒子、配体和溶剂;
所述絮凝剂与稳定分散液混合使用。
本发明实施例还提供一种量子点发光二极管器件的制作方法,包括制作第一电极、电子传输层、空穴阻挡层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及第二电极的步骤,所述电子传输层的制作步骤包括:
提供权利要求1-5中任一项所述的组合物;
将所述絮凝剂添加于所述稳定分散液中,之后利用形成的混合物于第一电极上制作电子传输层,而后对所述电子传输层进行退火处理。
与现有技术相比,本发明的有益效果包括:
(1)本发明实施例提供的能够常温稳定存储的组合物,包括稳定分散液和絮凝剂,稳定分散液包括电子传输层纳米粒子、配体和溶剂,絮凝剂与稳定分散液混合使用,可以实现在室温下存储电子传输层纳米粒子。
(2)在量子点发光二极管器件的制作过程中,随着退火时间的增加,电子传输层纳米粒子的浓度逐渐增大,到达一定浓度后,由于絮凝剂的存在,使得电子传输层纳米粒子表面的配体脱落,再通过溶剂对基体进行清洗,以去除其中的配体和絮凝剂。从而使得电子传输层纳米粒子可以稳定的存储在室温中,在保证量子点发光二极管器件制作效果的同时降低生产过程中的存储成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





