[发明专利]常温稳定存储的组合物及量子点发光二极管器件的制法在审

专利信息
申请号: 201810787832.0 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN108987597A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 陈雨 申请(专利权)人: 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 叶蕙;王锋
地址: 314000 浙江省嘉兴市海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电子传输层 发光二极管器件 稳定分散液 量子点 存储 常温稳定 制作 絮凝剂 配体 退火 纳米粒子表面 絮凝剂添加 存储成本 第一电极 降低生产 纳米粒子 退火处理 制作过程 混合物 溶剂 制法 保证
【权利要求书】:

1.一种能够常温稳定存储的组合物,其特征在于:包括稳定分散液和絮凝剂;

所述稳定分散液包括电子传输层纳米粒子、配体和溶剂;

所述絮凝剂与稳定分散液混合使用。

2.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于:所述配体包括聚丙烯酸钠、聚苯乙烯磺酸钠、聚乙烯基磷酸酯钠,聚丙烯酸钾、聚苯乙烯磺酸钾和聚乙烯基磷酸酯钾中的任意一种或两种以上的组合;和/或,所述絮凝剂包括氯化钠和/或氯化钾。

3.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于:所述电子传输层纳米粒子的尺寸为3-5nm。

4.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于:在所述絮凝剂与稳定分散液混合后形成的混合体系中,絮凝剂的浓度为10mmol/ml-30mmol/ml;和/或,所述稳定分散液中配体的浓度为30mmol/ml-50mmol/ml。

5.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于:所述电子传输层纳米粒子包括ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、ZnSnO和InSnO n型半导体材料中的任意一种或两种以上的组合;和/或,所述电子传输层纳米粒子包括掺杂有Mg、Li、Hg、Al、Ni、Mn、Co、Ga、In、Sb、Er、Sr、Cu、Y、Nd和Pd中的任意一种或两种以上元素的n型半导体。

6.一种量子点发光二极管器件的制作方法,包括制作第一电极、电子传输层、空穴阻挡层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及第二电极的步骤,其特征在于,所述电子传输层的制作步骤包括:

提供权利要求1-5中任一项所述的组合物;

将所述絮凝剂添加于所述稳定分散液中,之后利用形成的混合物于第一电极上制作电子传输层,而后对所述电子传输层进行退火处理。

7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述退火处理的退火温度为50-100℃,时间为10-100min。

8.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于:所述空穴注入层的材质包括PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2和WSe2中的任意一种或两种以上的组合;和/或,所述空穴传输层的材质包括NPB、TPD、Poly-TPD、TFB、PVK、CBP、TCTA和mCP中的任意一种或两种以上的组合;和/或,所述第一电极包括ITO导电玻璃;和/或,所述第二电极包括Al电极或Ag电极。

9.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于:所述电子传输层的制作步骤具体包括于第一电极上沉积电子传输层,而后对所述电子传输层进行退火处理,之后进行清洗去除所述配体及絮凝剂。

10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于:所述电子传输层的浓度为30mmol/ml-50mmol/ml,所述稳定分散液中配体的浓度为30mmol/ml-50mmol/ml;和/或,所述旋涂转速为1000r/min-5000r/min;和/或,清洗所选用的溶剂为丙二醇、甘油和甲酸中的任意一种或两种以上的组合。

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