[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。形成金属层之后，在金属层上形成金属氧化层，以使后续形成的有机材料层形成在金属氧化层上，由于有机材料层中的碳和氢能够与金属氧化层中的氧形成化学键，从而可有效提高有机材料层和金属氧化层之间的结合力，即相当于提高了有机材料层在金属层上的附着性能，进而可改善有机材料层发生脱落的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在半导体领域中，存在大量的包括金属层和形成在金属层上的有机材料层的这种半导体结构。例如，在半导体的封装结构中，金属层用于构成再分布层，以及在再分布层上需要形成有机材料层以构成钝化层，从而可利用所述钝化层对再分布层进行隔离保护。

然而，在实际的半导体结构的制备过程中，由于金属层和有机材料层之间较差的结合性能，从而极易导致覆盖在金属层上的有机材料层脱落(peeling)，进而会对半导体结构的性能造成不利影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构的形成方法，以解决所形成的半导体结构中，有机材料层容易从金属层上脱落的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有一金属层；

在所述金属层上形成一金属氧化层；以及，

在所述金属氧化层上形成一有机材料层，所述金属氧化层和所述有机材料层之间形成有碳氧键和/或氢氧键。

可选的，所述金属氧化层的形成方法包括：对所述金属层执行氧化工艺，以使所述金属层中靠近顶表面的部分转变为所述金属氧化层。

可选的，对所述金属层执行氧化工艺包括：对所述金属层进行烘烤。

可选的，对所述金属层进行烘烤的过程中，其烘烤温度介于150℃～170℃。

可选的，对所述金属层进行烘烤的过程中，其烘烤时间介于120s～180s。

可选的，所述金属层的材质包括铜，所述金属氧化层的材质包括氧化铜。

可选的，所述有机材料层的材质包括聚对苯撑苯并双恶唑。

可选的，所述半导体结构为封装结构，所述金属层用于构成所述封装结构中的再分布层，所述有机材料层用于构成所述封装结构中的钝化层，所述钝化层中开设有至少一个开口，所述开口暴露出所述再分布层。

本发明的又一目的在于提供一种半导体结构，包括：

衬底；

金属层，形成在所述衬底上；

金属氧化层，形成在所述金属层上；以及，

有机材料层，形成在所述金属氧化层上，所述金属氧化层和所述有机材料层之间形成有碳氧键和/或氢氧键。

可选的，所述金属氧化层由所述金属层中靠近顶表面的部分和氧结合构成。

可选的，所述金属层的材质包括铜，所述金属氧化层的材质包括氧化铜。

可选的，所述有机材料层的材质包括聚对苯撑苯并双恶唑。

可选的，所述半导体结构为封装结构，所述金属层用于构成所述封装结构中的再分布层，所述有机材料层用于构成所述封装结构中的钝化层，所述钝化层中开设有至少一个开口，所述开口暴露出所述再分布层。