[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810786440.2 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110729269A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 李兵;章国伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机材料层 金属氧化层 金属层 化学键 半导体结构 附着性能 结合力 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有一金属层；
在所述金属层上直接形成一金属氧化层；以及，
在所述金属氧化层上形成一有机材料层，所述金属氧化层和所述有机材料层之间形成有碳氧键和/或氢氧键。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属氧化层的形成方法包括：对所述金属层执行氧化工艺，以使所述金属层中靠近顶表面的部分转变为所述金属氧化层。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述金属层执行氧化工艺包括：对所述金属层进行烘烤。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述金属层进行烘烤的过程中，烘烤温度介于150℃～170℃。
5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述金属层进行烘烤的过程中，烘烤时间介于120s～180s。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材质包括铜，所述金属氧化层的材质包括氧化铜。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机材料层的材质包括聚对苯撑苯并双恶唑。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构为封装结构，所述金属层用于构成所述封装结构中的再分布层，所述有机材料层用于构成所述封装结构中的钝化层，所述钝化层中开设有至少一个开口，所述开口暴露出所述再分布层。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
金属层，形成在所述衬底上；
金属氧化层，形成在所述金属层上；以及，
有机材料层，形成在所述金属氧化层上，所述金属氧化层和所述有机材料层之间形成有碳氧键和/或氢氧键。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述金属氧化层由所述金属层中靠近顶表面的部分和氧结合构成。
11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层的材质包括铜，所述金属氧化层的材质包括氧化铜。
12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述有机材料层的材质包括聚对苯撑苯并双恶唑。
13.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为封装结构，所述金属层用于构成所述封装结构中的再分布层，所述有机材料层用于构成所述封装结构中的钝化层，所述钝化层中开设有至少一个开口，所述开口暴露出所述再分布层。
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